转载-从CMOS到触发器(三)

前面说了CMOS器件,下面介绍一下锁存器跟触发器

1.双稳态器件

双稳态器件是指稳定状态有两种,一种是0,一种是1的器件;双稳态器件是存储器件的基本模块,双稳器件的的一种电路结构是:交叉耦合反相器 结构,如下图所示:
在这里插入图片描述
由于没有输入,于是我们就假设I1的输出先为1,即Q=1;那么I2的输入为1,Q’就为0,于是反馈给Q的输入,导致Q的输出为1,也就是使得Q的状态稳定为1,因此这个器件有一个稳定的状态为1.
如下图所示:
在这里插入图片描述   
我们再假设I1的输出先为0,即Q=0;那么I2的输入为0,Q’就为1,于是反馈给Q的输入,导致Q的输出为0,也就是使得Q的状态稳定为0,因此这个器件还有一个稳定的状态为0.
如下图所示:
在这里插入图片描述
由此可见,这种交叉耦合反相器的器件是双稳态器件。但是需要注意的是,电路有可能存在第三种状态,称为亚稳态,它不是一种稳定的状态。  
锁存器、寄存器都是双稳态器件,它们都有两个稳定状态1和0。正是因为它们有两个稳定的状态,因此才可以拿它们来存储数据,也就是说双稳态电路(比如交叉耦合反相器、锁存器和寄存器)可以存储数据。

2.常见的锁存器

显然上面的那种交叉耦合反相器没有输入,存储不了输入的数据。因此需要有输入的类似“交叉耦合反相器”结构的双稳态电路,锁存器应运而生。下面是常见最基本的锁存器S-R锁存器,常见常用的锁存器是D锁存器。
①RS锁存器
  在数字电路里面,SR锁存器是最简单的时序单元,它由一对交叉耦合的或非门构成,如下所示:
  

CMOS施密特触发器是一种具备滞后效应的逻辑元件,其主要用于信号整形、噪声抑制和脉冲产生等场合。这种类型的触发器拥有两个不同的阈值电压水平——一个用于正向转换(当输入上升超过某个点),另一个用于负向转换(当输入下降低于另一点)。这样的特性使得施密特触发器能够有效过滤掉小幅度的波动或噪音。 ### 工作原理 对于CMOS施密特触发器而言,在输入电压逐渐增加的过程中,一旦达到较高的阈值电压(Vth+)就会发生状态翻转;而当输入电压减少时,则需要降至较低的阈值电压(Vth-)才会再次改变输出状态。这两个不同阈值之间的差异称为回差(Hysteresis),这有助于防止由于输入信号不稳定而导致的快速连续切换现象。 ### 应用场景 - **去抖动**:在机械开关或者按钮连接至数字系统时用来去除接触弹跳产生的毛刺。 - **波形整形**:可以将缓慢变化或是不规则形状的模拟信号转化为干净利落的方波形式供后续处理使用。 - **定时功能**:结合电阻电容(RC)网络形成简单的单稳态或多谐振荡电路实现延时动作或者是周期性事件的发生。 ### 电路设计要点 为了构建一个有效的CMOS施密特触发器,通常会涉及到以下几个方面: - **选择合适的IC型号**:例如74HC14就是一款常见的六通道高速CMOS施密特触发反相器芯片。 - **确定外部组件参数**:如果是基于RC时间常数的应用,则需计算恰当的电阻和电容器件数值确保获得所需的响应时间和频率特性。 - **考虑电源供电范围**:确认所选用器件能够在目标系统的电压范围内正常运作,并留有足够的余量避免过压损坏风险。 - **布局布线优化**:保证印刷线路板上的走线尽量短直从而减小寄生影响同时提高整体性能稳定性。
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