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1.CMOS的宽长比
关于COMS原理及结构图可以参考[1]COMS原理及门电路设计.
栅在源漏方向的长度称作栅的长L,垂直方向称为栅的宽W,如图1中NMOS的版图。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/1388685001629e397e7dec22f6dc977c.png)
以MOS管的倒向器为例,其PMOS与NMOS的宽长比满足公式:
其中uN与uP指相应的载流子迁移率,倒向器的载流子迁移率中若uN/uP=2.5即PMOS的宽长比是NMOS的2.5倍.(图2.15中是看不出来的),事实上宽长比涉及的公式比较多,但作为设计工程师只需要理解到我说的就可以了。
图2.16中的与非门中,根据频率要求和有关参数计算获得等效倒相器的NMOS和PMOS的宽长比和
,考虑到M3和M4是串联结构,为保持下降时间不变(倒向器的电阻不变),M3和M4的等效电阻必须缩小一半,即它们的宽长比必须比倒相器中的NMOS的宽长比增加一倍(等效电阻与宽长比成反比),由此得到
,而M1和M2是并联,宽长比却不是变为一半,原因是并联的只要一个导通其的电阻就和倒向器的一样了,所以是
。同理,或非门的M1,M2是2倍,M3,M4是1倍[2]。
问题:为什么一个标准的倒相器中 P 管的宽长比要比 N 管的宽长比大?