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cmos宽长比：

1.CMOS的宽长比
关于COMS原理及结构图可以参考[1]COMS原理及门电路设计.

栅在源漏方向的长度称作栅的长L，垂直方向称为栅的宽W，如图1中NMOS的版图。

图1
以MOS管的倒向器为例，其PMOS与NMOS的宽长比满足公式：

                                                                                     

其中uN与uP指相应的载流子迁移率，倒向器的载流子迁移率中若uN/uP=2.5即PMOS的宽长比是NMOS的2.5倍.（图2.15中是看不出来的），事实上宽长比涉及的公式比较多，但作为设计工程师只需要理解到我说的就可以了。

图2.16中的与非门中，根据频率要求和有关参数计算获得等效倒相器的NMOS和PMOS的宽长比和，考虑到M3和M4是串联结构，为保持下降时间不变（倒向器的电阻不变），M3和M4的等效电阻必须缩小一半，即它们的宽长比必须比倒相器中的NMOS的宽长比增加一倍（等效电阻与宽长比成反比），由此得到，而M1和M2是并联，宽长比却不是变为一半，原因是并联的只要一个导通其的电阻就和倒向器的一样了，所以是。同理，或非门的M1，M2是2倍，M3，M4是1倍[2]。

问题：为什么一个标准的倒相器中 P 管的宽长比要比 N 管的宽长比大?
和载流子有关， P 管是空穴导电， N 管是电子导电， 电子的迁移率大于空穴， 同样的电场下， N 管的电流大于 P 管， 因此要增大 P 管的宽长比， 使之对称， 这样才能使得两者上升时间下降时间相等、 高低电平的噪声容限一样、 充电放电的时间相等。
 

一、OD门介绍

OC（Open C