内存相关知识（随笔）

1、内置DRAM的优点：

①低延迟：与外部内存（如系统RAM）相比，内置DRAM通常具有更低的访问延迟，因为它直接集成在芯片上，无需通过外部总线进行访问。

②高带宽：内置DRAM通常具有较高的数据传输带宽，可用于快速的数据读写操作。

③节省空间：由于内置在芯片上，内置DRAM不需要额外的物理空间，这有助于在小型设备中实现高性能。

④节省功耗：与外部内存相比，内置DRAM通常具有较低的功耗，因为它不需要与外部模块进行通信。

2、RISC-V

一种开源的、基于精简指令集计算机（RISC）架构的指令集体系结构（ISA）。

特性：

①开源性质：RISC-V ISA是完全开源的，其规范和参考实现都可以自由使用，不受专利限制。这意味着任何人都可以基于RISC-V构建自己的处理器核心、芯片。

②模块化设计：RISC-V采用了一种模块化的设计方法，它定义了基本的ISA，然后允许在其上添加可选的扩展，以满足不同应用领域的需求。这种灵活性使得RISC-V适用于多种用途，从嵌入式系统到高性能计算。

③多种指令集宽度：RISC-V支持不同的指令集宽度，包括32位、64位和128位。这使得它适用于各种计算需求。

④广泛的应用：RISC-V已经在各种领域中得到广泛应用，包括嵌入式系统、物联网（IoT）、人工智能、边缘计算等。

3、Google的自定义SoC，如Tensor Processing Unit（TPU）SoC，将TPU硬件直接集成到芯片上，这样可以在执行深度学习任务时提供更高的性能和能效。

4、常见的CPU架构

x86架构：x86是一种广泛用于PC和服务器的CPU架构，代表是Intel和 AMD 的处理器。x86架构使用复杂指令集，具有良好的兼容性，可以运行许多现有的软件。x86架构的32位版本和64位版本都得到广泛支持。

ARM架构：ARM是一种RISC架构，主要用于移动设备、嵌入式系统和低功耗服务器，功耗较低。

RISC-V架构：RISC-V是一种开源的、可扩展的RISC架构；它具有模块化设计，可以根据需要添加标准扩展，使其适应不同的应用领域。

5、Cortex-A处理器没有在内部集成RAM

        内部集成内存通常用于一些嵌入式系统，尤其是MCU和一些小型嵌入式设备。这些设备的处理器通常集成了少量的内部RAM，用于存储程序和数据，以简化系统设计和控制成本。但Cortex-A系列处理器的设计目标不同，更注重高性能和灵活性，因此它们通常不包含足够的内部内存来满足应用程序的需求。

        要在使用Cortex-A系列处理器的设备中使用内存，通常需要外部DRAM芯片或模块，这些DRAM模块提供了足够的系统内存来存储操作系统、应用程序和数据。处理器通过内存控制器与外部DRAM进行通信，以实现高速数据访问。

6、DRAM与DDR有什么区别？

DRAM：一种用于存储数据和程序的主要内存类型；DRAM以电容器和晶体管的组合形式存储数据位，需要定期刷新以维持数据的稳定性。

DDR（Double Data Rate）：DDR是一种内存技术的命名，它指的是在每个时钟周期中传输两次数据（上升沿和下降沿），从而提高了内存总线的数据传输速度。DDR技术可以应用于不同类型的内存，包括DDR SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）和DDR2、DDR3、DDR4等。

7、DRAM可以分为哪些子类？

SDRAM（Synchronous DRAM）：SDRAM是一种与系统时钟同步工作的DRAM，它以同步的方式进行数据传输，具有更高的性能和效率，因此在计算机内存中广泛使用。

DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous DRAM）：DDR SDRAM是SDRAM的一种改进型，它在每个时钟周期中传输两次数据（上升沿和下降沿），提供了更高的带宽和性能。

LPDDR（Low Power DDR）：LPDDR是一种低功耗DRAM，主要用于移动设备，如智能手机和平板电脑。设计目标是减少功耗，以延长电池寿命。

8、RISV-V与ARM的性能对

RISC-V和ARM都属于RISC类型的ISA，即精简指令集，主要特点是使用少量的简单指令来完成复杂的功能，从而提高处理器的性能和效率。

2019年某院发布，对比了基于RISC-V的XiangShan处理器和基于ARM的Cotex-A72处理器性能，二者都是64位，都支持linux OS，都采用28纳米工艺制造：

 2020年M国发布，对比了基于RISC-V的RocketChip处理器和基于ARM的Cortex-A53处理器性能，64位，支持linux OS，都采用TSMC的65纳米工艺制造：

（上述对比仅供参考） 

 9、DDR、DDR2、DDR3、DDR4有什么区别？

①传输速率：DDR的速度是2.5倍，DDR2的速度是4倍，DDR3的速度是8倍，DDR4的速度是16倍。

②电压：DDR需要2.5V的电压，DDR2需要1.8V的电压，DDR3需要1.5V的电压，DDR4需要1.2V的电压。

③DIMM插槽：DDR是DIMM 184-Pin的，DDR2是DIMM 240-Pin的，DDR3是DIMM 240-Pin的，DDR4是DIMM 288-Pin的。

④外部时钟频率：DDR的频率是133MHz，DDR2的频率是266MHz，DDR3的频率是533MHz，DDR4的频率是1066MHz。

总的来说，DDR、DDR2、DDR3和DDR4在速度、电压、DIMM插槽和外部时钟频率方面有不同的规格，选择哪一种内存取决于系统的具体需求和兼容性要求。