1596_AURIX_TC275_LMU简介

全部学习汇总： GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)

这个章节其实没有多少页文档，而大部分的文档其实是寄存器的字段描述。因此，这次一次性把这个文档的内容大概看完。

1. LMU提供了32K的本地通用RAM。
2. ED存储的访问也是通过LMU的模块来实现。
3. 所有的RAM都是有ECC保护的。
4. 关于地址有效性的问题多少有一点没看懂，难道说通过这种方式支持两种不同的MCU？但是支持的方式感觉也讲不过去。
5. LMU是支持内存完整性检查的。

1. 如果开启了LMU存储一致性检查，假如检查报错了之后可以报SMU。
2. LMU的SRAM只能够看到64bit的宽度来读取，如果少于这个宽度则采用读取-修改-回写的方式来实现。
3. 如果LMU的内存用来存储代码，那么性能不低于Flash，甚至更好。
4. LMU的缓冲加速功能，在连续的32bit读取的时候非常有用。

1. 存储保护方面，LMU的保护机制支持定义8个保护区。
2. 存储机制是由ENDINIT机制来保护的。

从这一页的描述中可以看出来，其实ED存储的访问比LMU的那32K的存储访问更加灵活。

1. 预获取的动作触发有两种可能，第一个是正好满足的地址对其条件，第二个是访问了支持cache的地址来读取。
2. 预获取动作在优先级上是高于buffer的读取的。
3. ED芯片的扩展RAM读取是不通过buffer来处理的。
4. Ed芯片的专有存储，如果出现了错误，ECC问题是SMU来处理的，其他的错误一般是触发中断来进行处理。

1. LMU有一个时钟控制的功能，通过这个功能可实现LMU存储角度的低功耗。
2. LMU的寄存器保护有两种，这里提到的是一个TAG ID身份保护。

LMU寄存器的另一种保护方式是通过ENDINIT的功能来进行保护。