《华林科纳--半导体工艺》RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响

关键词——区域合作协定、供应链1、供应链2、QDR

摘要
在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。

介绍
华林科纳对SC-1和QDR的加工时间、温度、浓度和兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究。这些研究表明，对颗粒去除效率影响最大的主要因素是兆频超声波功率，其次是温度和浓度，SC-2的影响较小.在湿式台式处理机中进行了一项统计设计实验。本文将提出一种晶片表面制备RCA配方，该配方基于适合SC-1和QDR以及SC-1温度的兆频超声波功率，具有最佳的粒子去除效率。
实验
通过在氢氟酸浴中和在带有旋转干燥干燥器的抗蚀工具类型中处理晶片，晶片被有意地预污染。HF会使晶圆表面变成疏水性，排斥水，容易吸引颗粒。典型的污染从100–2000个粒子不等，粒子阈值为0.13和0.16 Pm。由于前处理很大程度上取决于初始计数和晶圆的初始条件(污染前的清洗)，晶圆是针对每个DOE条件随机选择的。对污染晶片的所有实验都是在同一批次的样品上进行的。

三个晶片被用于槽1、25和50，中间有虚拟氧化物涂覆和蚀刻的晶片，以模拟实际生产条件并提供具有挑战性的污染水平，因为虚拟晶片包含可能转移到裸硅晶片的蚀刻副产物。使用SP1，一种基于激光的粒子计数器来检测粒子水平，来获取前后扫描数据。SP1绘制了一张雾霾地图。雾度是暗场检查过程中激光散射产生的低频信号，可以反映晶圆加工引起的表面均匀性或粗糙度的微小变化。将使用JMP软件通过可变性图表进一步分析数据，以确定颗粒去除效率的重要因素。
结果
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