《华林科纳-半导体工艺》硅上多晶磷化铟的生长和表征

本文介绍了一种以In2O3或In为中间体，在硅片上直接合成多晶InP的方法。用粉末x光衍射分析了中间体和最终多晶磷化铟的晶体质量和转化率。根据中间材料的类型和衬底取向硅，发现微晶尺寸是变化的从739纳米到887纳米。用原子力显微镜研究了多晶磷化铟的表面形貌。发现磷化铟薄膜的均方根表面粗糙度在314至1944纳米之间变化。比较了不同生长条件(生长时间、生长温度、PH3源流量)、中间材料类型(In2O3和In)和衬底类型和Si 下本征和硫掺杂InP层的结构和光学性质。在所研究的实验参数范围内，较长生长时间下较高的PH3源流量改善了硅衬底上In2O3上生长的InP层的结构质量，这也导致了良好的光学质量。从铟和氧化铟预涂衬底生长的磷化铟的结构和光学质量的比较表明，前者产生更好质量的磷化铟。

介绍

磷化铟和GaAs具有单结电池最理想的带隙和最高的理论效率。与GaAs太阳能电池和硅太阳能电池相比，InP太阳能电池表现出优越的抗辐射能力，这使得它们成为空间应用的理想选择。将ⅲ-ⅴ族材料与硅集成在一起，可以提供大尺寸和低成本ⅲ-ⅴ族太阳能电池的综合优势。

氧化铟锡和铟在硅衬底上的沉积

通过使用In2O3作为中间材料，并通过使用HVPE将In2O3转化/磷化成InP来实现在硅上的沉积[1]。采用旋涂法制备了In2O3薄膜。在这项工作中，我们将研究InP在In2O3上的生长，而不是用HVPE来研究in2上的转化。

由于旋涂膜中的基底表面粗糙度、缺陷和不均匀性，很难通过旋涂产生完美的薄膜。而制备In2O3薄膜的旋涂溶液由氯化铟制备。第一类旋涂缺陷是最终薄膜中出现的条纹ÿ