《华林科纳-半导体工艺》 氧化锌单晶衬底表面差异导致的表面处理方法和外延生长工艺的区别

书籍：《华林科纳-半导体工艺》
文章：氧化锌单晶衬底表面差异导致的表面处理方法和外延生长工艺的区别
编号：JFKJ-21-1111
作者：华林科纳

引言
研究了氧化锌单晶的表面处理方法与由于表面极性的差异而引起的外延生长过程之间的差异。在o极氧化锌单晶表面下，用氧化锌制成的陶瓷盒进行退火可以有效地获得原子平坦的台阶和阶地表面结构。对于锌极性氧化锌，需要化学蚀刻处理以获得无坑表面。得到了各极性表面具有原子平坦阶地表面结构的氧化锌单晶和均外延薄膜。讨论了极性对表面处理过程和外延生长过程的影响。

实验
在实验中，使用了经过化学机械研磨(CMP)的水热合成ZnO单晶基板。对ZnO的各极性面，实施湿法蚀刻及热处理，为了得到具有原子层水平的平坦性的基板表面进行了研究。之后，在实施了最佳表面处理的基板上，通过脉冲激光堆积(PLD)法，制作了ZnO同质外延薄膜。对于生长条件的最佳化，分析了激光照射ZnO靶时产生的被称为羽流的等离子的发光，调查了O及Zn活性种的生成状态，并加以利用。制作的薄膜，使用X射线衍射(XRD)，反射高速电子束衍射(RHEED)，原子力显微镜(AFM)，观察了晶体结构，表面结构或表面形态。
为了研究极性对ZnO薄膜生长的影响，我们首先研究了适用于O极性和Zn极性外延生长的预处理方法。对于氧化物衬底，通常可以通过1000℃左右的高温热处理使衬底平坦化。因此，我们对ZnO衬底进行了同样的热处理。在O极性ZnO衬底上进行了有机清洗和HF蚀刻。实施后，放入ZnO陶瓷盒中，在大气中在950℃下进行了10小时的热处理。热处理后的AFM图像如图1所示。热处理后的O极性ZnO基板表面可以确认相当于1/2单位单元的台阶和平台结构，可以看出平坦性非常高。