纳米压印光刻技术展望

摘要

在过去的几年中，纳米压印光刻引起了越来越多的兴趣。事实上，似乎有越来越多的潜在纳米压印应用和基本纳米压印光刻概念的变化。不同的纳米压印变体对于特定的最终用途应用各有优缺点，总体赢家和输家仍有待分选。德克萨斯大学 (UT)-Austin 于 1998 年开发了其版本的纳米压印、步进和闪光压印 (SFIL)。光固化液体以分步重复、逐个芯片的方式，而不是热辅助成型的全聚合物涂层晶片。SFIL 从一开始就专门针对半导体制造应用。在这些应用中，SFIL 具有作为室温、低压印力方法的优势。因此，SFIL 可以实现多级半导体器件制造所需的精细对准和覆盖控制。2001 年，SFIL 概念获得了 Molecular Imprints, Inc. (MII) 的商业开发许可，该公司成立的目的是开发具有 SFIL 功能的工具和相关流程。

图 1. SFIL 压印结果显示为 (a) 密堆积微透镜，2 微米正方形；(b) 包含 30 纳米线和间距的 45 纳米节点逻辑芯片图案；(c) 32nm节点内存芯片触点，41nm半间距；(d) 具有 100nm 直径通孔的横截面、多层压印绝缘体。图片 1(a-c) 由 Molecular Imprints, Inc. 提供。

介绍

自 UT-Austin 最初开发以来的八年里，SFIL 工具已经变得非常复杂。最初的 UT 工具具有零重叠/对准功能，仅处理手动加载的 125 毫米晶圆࿰