EPI晶片的表面微观粗糙度对湿化学处理的依赖性

摘要

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明，表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)评估了硅衬底表面和氧化物表面的微粗糙度。表面微粗糙度在湿化学处理中增加，特别是NH4OH H2O2 H20清洗（APM清洗）。研究表明，如果NH4OH-H2Oz-H20溶液中的氢氧化铵混合比较低：NH4OH-H2O2-H20=0.05：1：5（常规混合比为1：1：5），室温超纯水冲洗在APM清洗后立即诱导，则微度根本不会增加。同时，在低水平上抑制其氢氧化铵混合比的APM清洗被发现可以非常有效地清除硅表面的颗粒和金属杂质。由于APM清洗而导致的微粒度的增加在不同的晶片类型中有所不同；在EPI晶圆上观察到很少增加，但在CZ和FZ晶片上观察到显著增加。然而，已经发现，CZ和FZ晶片在1000~下通过湿氧化超过4小时，可以以与EPM晶片相同的水平几乎抑制APM清洗中微粗糙度的增加。这是因为在湿氧化过程中产生的间质硅原子填补了硅空位。在n型CZ晶片的t2m情况下，表面微粗糙度也被观察到增加的DHF清洗。已经发现添加了H202。超过0.5%的DHF溶液可以完全抑制这种微粒度的增加。

介绍

传统的清洗过程是基于RCA清洗的概念，它可以有效地去除基底表面的污染物，如颗粒、有机材料和金属杂质 。同时，如果水和氧共存，天然氧化物会立即在空气或超纯水中生长在硅表面。当硅表面被天然氧化物覆盖时，工艺质量，特别是低温过程中的质量，会被极度降解。因此，人们提出了引入氮气密封封闭系统的概念&