《炬丰科技-半导体工艺》抛光晶片和外延层晶片表面物理化学特性的比较

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：抛光晶片和外延层晶片表面物理化学特性的比较
编号：JFKJ-21-971
作者：炬丰科技

引言

硅晶片在晶片制造工艺或元件制作工艺过程中，会受到各种污染物、表面特性的影响。 这些污染物是导致半导体元件产出率下降的原因，可以在晶圆制造工序后的最后阶段进行清洁处理，也可以在元件制造工序前和工序中间进行清洁处理。进行清洁工程，使污染物浓度最小化。
使用HF清洗后，必须对重新吸入的微粒进行清除。BOE溶液是NH4F和HF混合的溶液，与DHF溶液一样，NH4F溶液有助于酸的货物去除和NH4F溶液去除微粒，NH4F和HF混合使效果比HF颤抖。但是，据报告，与DHF溶液相比，F产生的蚀刻中的grown被减少，不是对晶片表面特定部分的集中蚀刻角度，而是从表面整体上蚀刻，去除氧化物，因此通常表现出非常好的表面平整性。因此，本方法对广泛应用于通用器件的Polished Si晶片和用于逻辑器件的Epitaxially-grown Si晶片进行了表面处理时表面的化学物理变化，确定了相互之间的三个定过程后特性差异。

实验

本方法对直径为300mm的Polished晶片和EpiLayer晶片采用不同的清洁液进行表面处理后，表面的变化进行了鉴定。晶片为P-type兴奋剂，以抑制杂质Boron为1016cm−3浓度，在1200摄氏度高温下进行ion implantation doping。 Epi-Layer利用SiH4气体，用chemical vapor deposition(CVD)方法形成了2.5µm和4.0µm的Si epitaxial层。 切成10 mm×10 mm大小的雕塑试片后，用清洁液进行了表面处理。 选用SC-1作为RCA洗脱方法； SC-1洗脱方法是由氨