利用蚀刻法消除硅晶片表面金属杂质​

为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。

利用蚀刻plate实现硅晶片的蚀刻方法: 硅晶片为消除表面金属杂质的影响，将10%HF溶液5 mL滴入拟蚀刻晶片面，将该溶液均匀地滚动，去除表面的金属杂质，然后定量称重，将HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均匀滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗净的晶片拟蚀刻的另一面，将拟蚀刻的一面放上去与plate上的溶液接触，并合上plate盖。20分钟后，将晶片用真空tweezer抓取并取下，用约20 mg脱离子水冲洗表面的蚀刻溶液，将这些溶液全部收集起来，装入蒸发容器，在微波烤箱中蒸发。

为了分析从表面到深度方向5米的金属杂质量，需要将晶片称为1 wn均匀，采用HF和HNO^混合溶液进行蚀刻，在这种混合溶液中，硅被HNQ氧化成SiOz，而SiQ被HF氧化成HzSiFs而被蚀刻。为了将硅晶片表面均匀蚀刻成1 gm厚度，通过改变HF和HNOj的体积比和蚀刻时间，求出了最佳体积比和蚀刻时间。

本实验采用直径为200mm的epitaxial硅晶片，Epitaxial晶片表面透过红外线，单晶硅与沉积的epi.层之间的折射率不同，可以测量epi.层的厚度，将其与蚀刻前、后的重量差进行比较，确定蚀刻厚度，从而确定了蚀刻的均匀性。图1给出了HI和HNQ的体积比以及不同蚀刻时间的蚀刻厚度。