KOH、TMAH 和 EDP 对硅表面的影响

华林科纳123

于 2022-04-26 14:10:40 发布

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文章标签：趋势科技机械

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本文探讨了KOH、TMAH和EDP在不同浓度和温度下对硅表面蚀刻的影响。研究发现，20wt%的KOH溶液在80°C下有最高蚀刻速率，TMAH溶液中硅蚀刻速率随浓度增加而增加，而EDP在71-95wt%范围内达到最佳蚀刻效果。高温蚀刻能提高表面平滑度，活化能分别为0.6、0.5和0.34eV。该研究为硅垂直梳状壁的制造提供了指导。

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本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。

在蚀刻研究中，在1100C下热生长1lm二氧化硅掩蔽层，然后通过常规光刻和氧化物图案蚀刻对氧化物层形成图案,对于垂直的侧壁，掩模图案应平行于方向对齐,在将样品浸入蚀刻溶液中之前，在缓冲的高频溶液中去除天然氧化物，然后在去离子(DI)水中冲洗,为了更好地晶片区域的均匀性，我们将样品水平保存在蚀刻溶液中。

将氢氧化钾薄片溶解到去离子水中制备氢氧化钾溶液,在500ml的氢氧化钾溶液中进行了一系列的蚀刻实验,浓度在10~50wt%之间变化，温度在80~120C之间不等,TMAH溶液（500毫升）是通过稀释市售的TMAH溶液制备的。TMAH浓度在5~25wt%之间变化，蚀刻槽的温度在60~90C之间变化。本研究采用500ml乙烯二胺、80g吡氯苯乙烯和水(DI)作为蚀刻溶液，蚀刻溶液中的EDP含量从71~95wt%不等，蚀刻浴的温度从70~125C不等。