用NaOH和KOH溶液蚀刻硅晶片的比较研究

我们研究了碱性刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少数寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征，而电学表征通过准稳态光电导测量来完成，这揭示了所得表面状态和少数载流子寿命之间的相关性。测量的表面粗糙度表明，23%重量的氢氧化钾溶液具有高的少数载流子寿命。

为了确定提供最光滑硅表面的氢氧化钾溶液，在第一步中，我们通过在90 ℃的恒温下研究四种不同的浓度来优化氢氧化钾溶液。在第二步中，我们将优化的氢氧化钾溶液的表面状态的结果与常规的30%重量的氢氧化钠溶液进行了比较。最后，研究了表面态与少数载流子寿命之间的关系。

在常规清洗过程之后，硅衬底的双面减薄和抛光在几个恒定温度的氢氧化钾浴中进行，以达到320 um的最终厚度，研究的浓度分别为15%、23%、30%和40 %，本研究的目的首先是确定显示最光滑的蚀刻硅表面的氢氧化钾浓度，然后将低表面粗糙度方面获得的氢氧化钾浓度的最佳值与在几项工作中广泛参考的30重量%的氢氧化钠浴获得的表面进行比较。图1显示了氢氧化钾浓度对在90℃恒温下蚀刻20分钟的晶片的表面粗糙度的影响，我们比较了由4种不同氢氧化钾浓度的氢氧化钾水溶液蚀刻的< 100 >硅晶片的粗糙度，粗糙度随着硅上氢氧化钾浓度的增加而降低，但是在我们的研究中，在对几个样品进行几次测试之后，我们发现KOH浓度和< 100 >硅上的粗糙度之间没有线性关系。

图1

从图1中，我们观察到在23%重量的条件下，粗糙度小于0.55微米,当蚀刻深度约为100 um时&#x