半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论

引言

半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距和更高的大规模集成电路密度，已经研究了颗粒和微污染对晶片的影响，以提高封装产量。湿法清洗/蚀刻工艺的湿法站配置有晶片装载器/卸载器、化学槽、溢流冲洗槽和干燥器。

实验

图1显示了在三京湿法站中使用的一种槽配置，其中100:1稀释氢氟酸(DHF)化学品和去离子水(去离子水)被供应到槽中。DHF化学用于预扩散清洗、预氧化物剥离和氧化物蚀刻。浴槽由聚四氟乙烯材料制成，过滤器用于过滤化学品颗粒。浴槽温度由在线加热器控制。在这种槽结构中，只有一种化学物质用于清洗过程。

图1三共湿站浴槽配置

图2显示出了修改成具有多化学品供应系统的浴槽构造，其用虚线框描述。多化学品供应系统可以分别供应两种化学品。

图2修改为具有多化学品供应系统的浴槽配置

根据晶片尺寸的增加，需要在一个浴中使用多种化学品的湿法清洗工艺。针对三共湿系统一浴湿洗工艺，开发了一套多化学品供应系统。通过电源开关操作信号，检查化学品供应系统。通过化学