晶圆臭氧清洗技术

摘要

半导体行业的研究人员研究了臭氧对wafer-cleaning的应用程序。 来 降低化学品消耗，降低成本，提高清洗效率，对臭氧进行了研究作为一种替代，传统的硫酸-过氧化氢 RCA用碱性(SC-1)和酸性来清洗。它是 (SC-2)过氧化氢混合物 这是因为消毒活动产生的多重影响 。

图1:三步ACD原理图清洗系统配置

DIO3可降解有机物污染

图2:三种清洁工艺后典型的残余金属表面浓度 在硅片上:在HF/O3干燥器中一步的过程，修改的RCA清洁，和一个碱性蚀刻

寻找一个替代 RCA清洗

图3:三种类型的CMOS器件的跨导数据(a)和饱和电流数据(b)

结论

湿式清洗工艺将继续发挥作用在半导体制造中扮演着重要的角色晶圆结构的复杂性增加。 在可靠的臭氧产生系统发展，使臭氧牵引替代传统的湿清洗和pho抵抗去除方法。 臭氧/水清洁产品更便宜，更环保。