先进的半导体晶圆清洗技术

最新推荐文章于 2022-04-21 12:33:10 发布

华林科纳123

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文章标签：趋势科技机械

本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn123/article/details/124150329

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本文探讨了半导体晶圆清洗过程中针对不同粒径微粒的去除效率（PRE）及其依赖性。研究了双流体清洗中氮气流量对40nm和200nm PSL粒子的影响，以及超声波清洗中空化对精细图案的潜在损害。降低空化功率以减少损伤成为关键，但可能导致PRE降低。未来，理解颗粒粘附形式并开发无损清洗解决方案至关重要。

摘要由CSDN通过智能技术生成

一直以来，对于粒子的洗涤效果，以去除率（PRE:Particle Removal Efficiency）为指标进行讨论。通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱（清洁后）值和初始（清洁前）值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的，但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性，需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法，即使用微粒涂覆装置改变粒径，在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL（聚苯乙烯胶乳）颗粒，用SP2测量的结果。图2显示了使用SURF monitor的同一晶圆的PRE计算方法的概念图。考虑到SP2测量环境和洗涤效率，设定了颗粒直径和颗粒数量（密度）的条件。此外，虽然这次采用了PSL球，但是该涂覆装置具有可以引入其他颗粒（例如二氧化硅和氮化硅）的优点。

双流体清洗：

图1显示了PRE对40nm和200nm两个PSL粒子的氮流量依赖性。200nm PSL颗粒表现出高PRE而没有极端的流速依赖性。当氮的流速低时，40nm PSL颗粒表现出低PRE，但是当氮的流速高时，可以改善PRE。然而，通常，在双流体清洁的氮气高流速条件下，物理力变大，因此图案损坏的发生概率增加。