湿蚀剂通过光刻胶渗透的研究

引言

本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。

结果和讨论

用光致抗蚀剂对材料进行湿法图案化需要保护材料免受湿法蚀刻剂的完美完整性。两种不同的湿蚀刻剂渗透路径会降低这种保护。通常，材料退化仅在参数测试的生产批次中观察到[2]。这种检测太晚了，会导致大量的金钱浪费。这里提出了替代方法，而不是在参数测试中测量晶体管退化。

第一穿透路径在抗蚀剂/材料界面处。在最坏的情况下，湿蚀刻剂可以很容易地渗透通过这个界面，在湿蚀刻期间的距离只有几微米。通常，在涂覆抗蚀剂之前，施加粘合促进剂，例如HMDS(六甲基二硅氮烷)。使用HMDS，就在用光刻胶涂覆晶片之前，[-Si(CH3)3]三甲基甲硅烷基被接枝到材料上。这些非极性键排斥极性湿蚀刻剂，防止后者破坏抗蚀剂-材料粘合键。引发反应的产率可以由各种因素调节:一级引发持续时间，还有基底表面键。氧化硅表面由硅烷醇和硅氧烷键组成。只有硅烷醇键促进良好的引发反应。因此，硅氧烷水解成硅烷醇键增加了三甲基甲硅烷基键的数量[2，3]。尽管如此，亲水表面必须非常干燥，以使HMDS与材料表面反应，而不是与吸附的水分子反应。二氧化硅水解期间良好的晶片干燥和衬底脱水都必须在涂底漆之前实现。最后，氧化硅表面的纯度起着重要的作用。掺杂氧化硅或化学气相沉积