《炬丰科技-半导体工艺》超声波高效清洁硅晶片

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超声波高效清洁硅晶片

编号：JFKJ-21-168

作者：炬丰科技

介绍

  晶圆的表面污染，特别是颗粒污染物，已经被污染半导体行业自诞生以来的主要问题之一。全加工硅片的成品率与缺陷密度成反比晶片。 降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术有效去除颗粒污染物。 小颗粒尤其困难由于晶圆之间的强静电力而从晶圆上除去粒子和衬底。 因此，必须找到一种有效的方法有效去除晶圆上的颗粒，且不损坏晶圆。现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议，包括使用洁净室套装、乳胶手套和高度净化通风系统。 结合这些协议，现代制造设施使用清洗晶片的各种方法，通常包括高压水射流擦洗，旋转硅片洗涤器，湿化学浴和漂洗器，以及类似的系统。 然而，这些过程容易损坏晶圆片。 此外, 化学过程具有与使用化学品相关的固有危险，如硫酸、氢氧化铵和异丙醇超声波清洗涉及多种复杂的机理，包括空化，机械振动等，取决于清洗时是否使用液体过程或不是。  振动能量传输随后在流体中传播，我们提出了一种有效的清洁裸硅片的方法借助低成本换能器产生的超声波能量。 描述了一种清洗晶圆的方法，本品中使用的真空吸盘可以并入一个改良的真空吸盘中声波发射器。 此外，还可以引导清洗液流 ，本研究的重点是只对使用声波来清洁晶圆片。半导体晶片半导体工业使用各种类型和大小的晶圆。

本文还讲述了污染物粒子，模型技术，试验等问题。