《炬丰科技-半导体工艺》单晶片光刻胶去除技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶片光刻胶去除技术

编号：JFKJ-21-373

作者：炬丰科技

介绍

  光刻胶的去除材料（光刻胶的去除）很快，但在实践中可能很困难和复杂。经典方法包括SPM（过氧化硫模块）/食人鱼、臭氧和硼材料。溶剂型流体例如n-甲基吡咯烷酮（NMP）、组合、二甲基亚氨基甲酸（DMSO）和四铵甲（TMSO），以各种形式和结合该工艺。通常将溶剂与温度或气体（1）结合使用，以提高产量并减少在厚厚的公关环境中因膨胀导致系统损坏。动态也可以吸收标准溶剂组合，包括气溶胶（2）和通过声能（3）对溶剂的物理活化，以帮助减少处理时间和因PR薄膜膨胀而引起的所有损坏。已经使用了各种特性和CO2组合实现了干湿干组合。控制的复杂性。由于含有丰富的物质、交联剂进行了或这些剂下的敏感金属或材料等，将这些材料加工制造加工成一件。这项研究是为了确定在商业半导体抗抗腐蚀剂清除工艺中使用独特的基于相流体的光致吸附剂的可能。由于其高度动态的内部结构，相流体渗透到光刻胶的聚合物网络中标材料从表面吸收剂，而不是溶剂的表面或表面反应。

理论

  由形成的稳定微粉末的两种不混溶液体的异质混合物组成。分离力之间建立了平衡，使乳液的成分保持动态或纳米级形状变化。当这种物理动力非常变化。强的流体材料表面用于光胶之类的薄膜时，低表面能允许聚合物表面中的非常空隙渗透，并最终形成光刻剂层脱离基础。独立，而不是薄膜的溶解或溶解。不禁止任何相权，因为微细的将成长不平衡，力求立即中和，停止任何反应。

  单片超音波加上大型的兆声波能量会在过程流体行业中引领空化标准。内爆冲击空化和未来的微波将流体扩展到广泛的表面。这实现了直接在地面表面快速流动。声增强处理的初始应用针对颗粒，因为空化将微粒和纳米颗粒移动到宏观流动并远离地面的能力。对清洁性能高。后来在单纵配置中距离超音速应用到光刻胶和横比工艺中，既增加了同步性，又增加了工艺时间（增加了产量）(5)。由于智能流体®的作用是物理流体基底膜界面，空化内表面，所以终层迷宫的流体快速交换通过扩散层加速了传统载体/生物工艺，从而大大提高了工艺时间和工艺的使用。  

 

实验结果

  每一工艺和材料组合的两个主要性能标准是： 最终反应时间，定义为流体和光刻胶膜之间首次观察到的物理反应。完成销毁的时间定义为完成光刻胶剥除的点。由于拍摄条件的接触，视角测量和比较不是结论性的，测量接触角并与硅一起参考进行比较。在进一步测试中实施精制的残留检测方法。