《炬丰科技-半导体工艺》超声波清洁硅晶片技术工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超声波清洁硅晶片技术工艺

编号：JFKJ-21-183

作者：炬丰科技  

摘要

  晶圆的表面污染，特别是颗粒污染物，已经成为污染半导体行业自诞生以来的主要问题之一，全加工硅片的成品率与缺陷密度成反比晶片。降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术有效去除颗粒污染物。小颗粒尤其困难由于晶圆之间的强静电力而从晶圆上除去粒子和衬底。因此，必须找到一种有效的方法有效去除晶圆上的颗粒，且不损坏晶圆。

  现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议，包括使用洁净室套装、乳胶手套和高度净化通风系统。结合这些协议，现代制造设施使用清洗晶片的各种方法，通常包括高压水射流擦洗，旋转硅片洗涤器，湿化学浴和漂洗器，以及类似的系统。然而，这些过程容易损坏晶圆片。此外,化学过程具有与使用化学品相关的固有危险，如硫酸、氢氧化铵、异丙醇等。

  超声波清洗涉及多种复杂的机理，包括空化，机械振动等，取决于清洗时是否使用液体过程或不是。典型的超声源是一个在A处振荡的平面单频，产生纵波。振动能量传输随后在流体中传播 。

半导体薄片   略

污染物粒子   略

模型        略

实验        略

结论  

  一种利用声能清洗硅片的新技术给出了超声频率范围。这种新方法具有实验证明可以有效地去除各种尺寸的颗粒光面硅片表面的超声波能量。   略