《炬丰科技-半导体工艺》湿化学蚀刻技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：湿化学蚀刻技术

编号：JFKJ-21-170

作者：炬丰科技

大纲  

•湿化学蚀刻的一般特点  

•各向同性Si蚀刻  

•各向异性硅腐蚀  

各向异性GaAs腐蚀  

•SiO2, Al和Cr的各向同性蚀刻  

•选择蚀刻和蚀刻停止  

•特殊蚀刻技术  

-电偏蚀  

-接触和通过蚀刻  

——板蚀刻  

-缺陷描绘蚀刻

-探针尖端蚀刻  

蚀刻均匀性和粗糙度  

•蚀刻的均匀性决定了表面的水平程度  

从最初的平面开始生产。  

-均匀性是地表高度变化的长尺度度量。  

•蚀刻的粗糙度决定了表面的平整度  

从最初的平面开始生产。  

-粗糙度是地表高度变化的短尺度度量。  

•均匀性的测量通常来自腐蚀的测量  

  略

腐蚀各向异性    略

各向异性刻蚀   略

氧化还原反应    略