《炬丰科技-半导体工艺》等离子体对有机污染物去除效率的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：等离子体对有机污染物去除效率的影响

编号：JFKJ-21-308

作者：炬丰科技

摘要

  随着基于硅片的器件几何形状不断缩小，发现硅表面吸附的痕量挥发性有机污染物对产品性能和产量的不利影响越来越大。当硅晶片暴露在大气中时，即使是在规定的洁净室中，空气中的气态有机分子也很容易在短时间内被晶片表面吸附。为了避免吸附这些空气中的有机物，硅片通常储存在塑料盒中，塑料盒通常由聚丙烯或聚碳酸酯材料制成.

实验过程

  本研究中使用的硅片为p型、双极、硅，电阻率为5-10瓦厘米，尺寸为50 × 10 × 3毫米3。在有意污染之前，在120℃下用食人鱼溶液(H2SO4 : H2O2 = 4:1)预清洗晶片10分钟，以去除硅衬底上的天然有机和其他颗粒污染物，并在室温下用HF溶液(HF : DI水= 1:10)预清洗10秒钟，以去除天然氧化物，从而建立可再现的起始表面条件。

结果和讨论

  氢等离子体是一种气态和电中性状态，包含电子、离子、中性原子和分子。当暴露于H2等离子体时，硅晶片表面由于与等离子体成分的化学反应而产生挥发性化合物，并被蚀刻。

 ECR O2等离子体清洗

结论

  在这项研究中，使用电子回旋共振等离子体O2的干洗技术被应用于硅晶片，用于去除有意污染在硅表面的有机污染物。在ECR氢等离子体清洗中，随着暴露时间的增加，表面粗糙度显著降低，但被污染的硅片没有被完全清洗。