《炬丰科技-半导体工艺》用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底
编号：JFKJ-21-1170
作者：华林科纳

硅对绝缘体(SOI)是在硅晶体管工业中发展起来的，以降低集成电路中的寄生电容。随着技术的发展，更多的应用和器件结构受益于这些衬底被证明，如微机电系统(MEMS)和光子学。在过去的一年里，报告了SOI与III-V化合物半导体的结合。一个吸引人的特点是，SOI和硅具有比复合半导体的标准材料更大直径、成本更低的衬底。此外，将SOI与III-V半导体结合，可以为传统的硅互补体增加新的功能。
金属氧化物半导体时代(CMOS)集成电路(IMOS)，为我们的数字时代提供动力。SOI上的氮化镓(GaN)通道晶体管可以在光伏逆变器、电动车充电和直流电力传输等应用中为硅CMOSICs增加高压或强功率密度处理能力。SOI结构的绝缘部分将为单片电力电路提供重要的电气隔离，如晶体管偏差的半桥布局。当装置被放置在一个共同的导电基板上时，这种隔离是困难的。目前，隔离是通过多芯片模块来实现的，这增加了生产的复杂性和成本。
氮化镓也用于射频(RF)功率设备，同样，SOI基板中的绝缘子层为减少基板中电流引起的功率损失提供了机会。硅和SOI都被用作光子学平台的基础，波导和其他光学元件的模式还处于高级发展阶段。这项工作中缺乏的组件是发光和激光发射器件。在这里，砷化镓磷化(InGaAsP)合金的集成可以导致紧凑、低成本的光通信元件。
在6英寸氮化硅氮化硅(SiNx)栅介电氮化镓(AlGaN)阻挡金属绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMTs)上首次演示。与在高电阻率硅(HRSi)上生长的相同结构相比，该器件显示出更好的直流、动态和射频性能。这些装置还包括一个在iii-氮化物沉积后，立即“原地”产生的SiNx介质。高效的射频性能需要电阻基板来减少诱导的功率损耗。通过一些合适的热管理解决