《炬丰科技-半导体工艺》金属和半导体纳米材料的超临界流体合成技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：金属和半导体纳米材料的超临界流体合成技术

编号：JFKJ-21-348

作者：炬丰科技

摘要

  在不久的将来，物理和经济上的限制预计会限制使用电流的电子和光学设备的持续小型化。顶向下基于光刻的方法。因此，需要在纳米尺度上合成和组织材料的非光刻方法。为了响应这些技术需求，许多研究小组正在开发新的超临界流体方法，以合成和自组装纳米材料的构建块 ，从 自下而上到结构复杂的设备架构。这篇概念论文重点介绍了使用超临界流体合成金属和半导体纳米粒子和纳米线的一些最新进展。此外，我们描述了一种有效的超临界流体方法，用于在介孔二氧化硅模板内构建金属和半导体纳米线的有序阵列。

简介

  许多技术，包括电子学、分离科学和涂层，将通过控制纳米级材料结构的能力得到增强。将高密度的存储器存储和处理电路封装到特定的纳米级阵列中，并利用与这些架构相关的独  特传输特性的能力，预计将导致未来几代计算机处理器的设备尺寸比其他计算机处理器小很多倍，速度更快。当前基于硅的处理器。然而，通过使用当前的自顶向下基于光刻的方法，物理限制和经济因素预计会限制电子和光学设备的持续小型化。

概念

结论

  当前光刻技术的局限性促使人们寻求一种允许纳米粒子和纳米线合成的技术，具有高度控制，具有成本效益，可重复且易于与现有技术集成。迄今为止，尚未建立合成无缺陷纳米颗粒或纳米线的通用方法。由于 SCF 具有极大的化学灵活性和合成可调性。

 

 

图 4. a) 在 SCW 中合成的 1-己硫醇稳定的铜纳米粒子的高分辨率和 b) 低分辨率 TEM 图像。经 J. Am 许可转载。化学 社会。2001, 123, 7797。