《炬丰科技-半导体工艺》表面粗糙度对晶圆直接键合的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：表面粗糙度对晶圆直接键合的影响

编号：JFKJ-21-675

作者：炬丰科技

摘要

   本文提出了一种描述初始直接晶圆键合过程的理论。基于弹性固体的接触和粘附理论，研究了表面微粗糙度对粘结性的影响。提出了一种有效的粘合能，其中最大值是粘附的比表面能，来描述粘合界面的真实结合能，包括晶片表面微粗糙度的影响。粗糙表面之间的有效结合能和真实的接触面积都依赖于一个无量纲的表面粘附参数u。以粘附参数为指标，可以确定三种晶圆接触界面的粘附性。非键合状态u＞12，键合状态u＜1，和遵守制度1＜u＜12。实验数据与该理论基本一致。

介绍

   室温下晶片直接键合的机理归因于短程分子间和原子间吸引力，因此，晶片表面光滑度成为该过程中最关键的参数之一。高表面粗糙度将导致小的实际接触面积，因此在结合界面产生空隙。当表面粗糙度超过临界值时，晶片根本不会结合。

理论

   本节我们研究表面粗糙的晶片和完全光滑的刚性晶片之间的接触和粘附。到目前为止，在直接晶片键合方面，表面的可键合性还没有明确的定义。这里，我们将使用实际接触面积和比有效结合能作为直接晶片结合中的可结合性的特征。总的来说，从图4中可以识别出三种状态。.当粘附参数大于例如12时，有效结合能和实际接触面积实际上都为零。我们称之为非束缚政权。当粘附参数小于约1时，实现了全接触面积和全结合能。我们称之为粘合机制。在结合机制和非结合机制之间，有一个过渡机制，称为坚持机制。在粘附状态下，实际接触面积和有效结合能随粘附参数而变化。回顾表面粘附参数的定义，可以得出结论，具有较小粗糙度、较高粘附比能和/或较低材料弹性的表面将导致较高的实际接触面积百分比和较高的结合能。

实验和结果

实验结果与模型之间也存在差异。根据图中。4、晶片对11 6 和21 7 的特定有效粘合能应不高达0.05或0.07J/m2，或者这两对晶片对的表面粘附参数值不应高达9.5或7.7。这种差异可能是由于粘合能测量、表面粗糙度实验或表面粘附参数的计算而造成的。

结论

基于DMT-Mougis理论的弹性体接触和粘附，计算了室温晶片直接键合后的实际接触面积。晶片键合界面的实际接触面积仅取决于一个无量纲参数，即表面粘附参数。在该参数中，包括粘附比能、材料弹性和表面粗糙度特性，例如粗糙高度的标准偏差、粗糙的平均帽半径。理论上已经证明，如果晶片表面粘附参数小于临界值，在室温晶片键合期间可以实现全面积接触。

键合晶片界面每单位面积分离所用的机械能定义为比有效键合能，其最大值为比粘附能。研究了表面粗糙度对比有效结合能的影响。比有效结合能也仅取决于晶片表面粘附参数。

使用表面粘附参数作为度量，可以根据其可粘合性识别三种晶片接触界面:非粘合状态u＞12，粘合状态u＜1，和坚持制度1＜u＜12。如果晶片处于非结合状态，实际接触面积和有效结合能将近似为零，但是如果它们处于结合状态，则可以实现全接触面积和比结合能。

使用化学机械抛光和化学蚀刻，晶片表面已经被改性，使得它们在微观尺度上具有轻微的粗糙度差异。已经在这种晶片上进行了直接键合实验。表面粘附参数与测量的有效结合能或结合速度之间的关系与理论相符。

粘结、静摩擦和摩擦之间的关系非常密切。这里提出的理论将对表面微加工和具有滑动接触的微机械系统的动力学产生影响。