《炬丰科技-半导体工艺》衬底对氮化钛薄膜APCVD生长的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：衬底对氮化钛薄膜APCVD生长的影响

编号：JFKJ-21-694

作者：炬丰科技

摘要

通过大气化学气相沉积在560°C到四氯化钛和氨的660°C温度范围内，并在成核和生长、晶体取向和杂质方面进行了研究。薄膜沉积在一个冷水壁，大气压CVD反应堆，旨在鼓励层流条件，并在相似的温度和质量传输条件下适应许多不同的基质。用扫描电子和原子力显微镜对薄膜进行表征表明，成核密度增加，表面粗糙度随温度降低。直平角x射线衍射决定了薄膜相对于基底和沉积温度的结晶度和取向。沉积在硅N上的薄膜呈优先取向，而玻璃上的薄膜呈随机取向。用卢瑟福后向散射谱校准的能量色散谱表明，氯和氧的污染量随着温度的增加而减少。RBS还测定了氮化钛薄膜的化学计量学。对玻璃上的氮化钛薄膜进行了电阻率和光学研究，以评价其作为热镜的适用性。