书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:氮化钛掩膜和刻蚀残留物去除
编号:JFKJ-21-318
作者:炬丰科技
氮化钛硬膜和蚀刻残留物去除
公开了从 28/20nm 图案晶片去除 PVD等的组合物、方法和系统。该组合物使用过氧化物作为氧化剂,在微碱性条件下去除 PVD,TiN 硬掩模。
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:氮化钛掩膜和刻蚀残留物去除
编号:JFKJ-21-318
作者:炬丰科技
氮化钛硬膜和蚀刻残留物去除
公开了从 28/20nm 图案晶片去除 PVD等的组合物、方法和系统。该组合物使用过氧化物作为氧化剂,在微碱性条件下去除 PVD,TiN 硬掩模。