浮动栅晶体管-电可擦ROM工作原理

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已于 2023-10-07 23:22:54 修改

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文章标签：硬件工程

于 2023-07-20 15:56:58 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_62953893/article/details/131730415

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浮栅晶体管是一种特殊类型的MOSFET，其特征在于拥有一个电隔离的浮栅，用于存储电荷，实现非易失性存储。读操作通过测量阈值电压识别信息，而写操作则通过Fowler-Nordheim隧穿或热载流子注入来改变浮栅上的电荷。然而，这种技术存在磨损问题，随着编程和擦除次数增加，氧化层会逐渐受损，影响单元的可靠性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

浮动栅晶体管

在这里插入图片描述

区别

浮栅晶体管或浮栅 MOSFET（FGMOS）类似于常规 MOSFET，但 FGMOS 在栅极和沟道之间有一个额外的电绝缘浮栅。

浮动栅晶体管的读操作

由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的电子也会被捕获。这就是闪存非易失性的原理所在。与具有固定阈值电压的常规 MOSFET 不同，FGMOS 的阈值电压取决于存储在浮栅中的电荷量，电荷越多，阈值电压越高。与常规 MOSFET 类似，当施加到控制栅极的电压高于阈值电压时，FGMOS 开始导通。因此，通过测量其阈值电压并将其与固定电压电平进行比较来识别存储在 FGMOS 中的信息，被称为闪存中的读操作。

浮动栅晶体管的写操作

可以使用两种方法将电子放置在浮动栅极中：Fowler-Nordheim 隧穿或热载流子注入。对于 Fowler-Nordheim 隧穿，在带负电的源极和带正电的控制栅极之间施加强电场。这使得来自源极的电子隧穿穿过薄氧化层并到达浮栅。隧穿所需的电压取决于隧道氧化层的厚度。利用热载流子注入，高电流通过沟道，为电子提供足够的能量以穿过氧化物层并到达浮动栅极。
通过在控制栅极上施加强负电压并在源极和漏极端子上施加强正电压，使用福勒 - 诺德海姆隧道效应可以从浮栅移除电子。这将导致被捕获的电子通过薄氧化层回到隧道。在闪存中，将电子放置在浮动栅极中被认为是编程 / 写入操作，去除电子被认为是擦除操作。

缺点

隧道工艺有一个主要缺点：它会逐渐损坏氧化层。这被称为闪存中的磨损。每次对单元进行编程或擦除时，一些电子都会卡在氧化层中，从而磨损氧化层。一旦氧化层达到不再能够在编程和擦除状态之间进行可靠性区分的点，则该单元被认为是坏的。由于读取操作不需要隧穿，因此它们不会将单元磨掉。这就是为什么闪存的寿命表示为它可以支持的编程 / 擦除（P / E）周期的数量。