IC设计ram002_ECC校验原理基础

1、ECC校验基础

Ram的ECC校验通常基于海明码编码原理实现,使用海明码编码需要额外的bit位存储校验位,ECC校验仅能纠正1bit的,无法纠正2bit以及以上数据错误,能发现部分多bit位错误的情况。

2、RAM ECC校验实现原理

如图所示为1r1w的ram为例,cfg_32x119_ram_wrapper为verilog代码直接调用层次的ram_wrapper,表示了一个深度为32,数据位宽为119bit的ram。ram_asic.v为真实的ram IP。其中119bit的数据位宽紧张ECC计算需要7bit的校验位,因此物理IP最少需要126bit的ram IP。通常memory产生工具会更具时钟频率,深度位宽等因素对ram进行切分,因此本例中,使用了2个32x64的ram ip。

在data_in写入ram_asic模块之前,会经过ecc_gen模块,产生7bit的ecc校验位,随着数据一同写入ram_asic,其中data_in[63:0]写入第一个ram_asic,{2’b0,ecc_in[6:0],data_in[118:64]}写入第二个ram_asic。从ram_asic读出的数据会经过ecc_out模块经过ecc校验,输出校验后的data_out[118:0]和2bit的ecc_err_out告警。

 

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IC 设计中,Memory Compiler 可以用于自动生成各种类型的存储器,其中 RAM 是一种常见的存储器类型。RAM(Random Access Memory)是一种随机访问存储器,可以读取和写入任意位置的数据。下面是 Memory Compiler 中常见的 RAM 类型介绍: 1. Single Port RAM:单口 RAM 是一种只有一个读写端口的 RAM,每次只能进行一次读或写操作。Single Port RAM 的优点是简单易用,适合于一些简单的应用场景,如 FIFO 缓存等。 2. Dual Port RAM:双口 RAM 是一种具有两个独立读写端口的 RAM,可以同时进行读写操作。Dual Port RAM 的优点是适合于需要高并发读写的应用场景,如网络交换机、图像处理等。 3. True Dual Port RAM:真双口 RAM 是一种具有两个独立读写端口的 RAM,可以同时进行读写操作,并且支持异步读写。True Dual Port RAM 的优点是在高并发读写的同时,保证了数据的一致性和可靠性。 4. Multi Port RAM:多口 RAM 是一种具有多个读写端口的 RAM,可以同时进行多个读写操作。Multi Port RAM 的优点是适合于需要高并发读写和多路访问的应用场景,如视频编码、音频处理等。 5. Low Power RAM:低功耗 RAM 是一种针对功耗优化的 RAM,可以通过减少电压、降低频率、优化电路结构等方式来降低功耗。Low Power RAM 的优点是可以延长终端设备的电池寿命,适合于移动终端等低功耗应用场景。
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