《炬丰科技-半导体工艺》光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理
编号：JFKJ-21-951
作者：炬丰科技

引言

应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明，过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)和碱土金属(钡)低，与基底类型和焙烧温度无关。过渡金属与光致抗蚀剂层中共存的焊料和/或水解物质形成稳定的络合物。发现金属络合物的尺寸、溶剂蒸发中的拖曳力和烘焙过程对杂质迁移有显著影响。我们提出了一个新的模型，结合化学放大光致抗蚀剂中的金属迁移和随后在底层衬底上的吸附，来解释金属迁移的途径。该模型可以解释金属杂质从光致抗蚀剂层向衬底表面的迁移率。

实验

材料用直径为15厘米的p型晶片生长有各种薄膜(即多晶硅、二氧化硅、氮化硅和非钝化或裸硅对照)。它们被切成2×2厘米的小块作为测试样品。然后通过各种光刻和剥离工艺处理这些样品，以研究光刻工艺中引入的污染物。光刻胶的选择在表1，选择这种特殊的光致抗蚀剂是因为它是最先进的超大规模集成(ULSI)制造中栅极和金属层应用的常用光致抗蚀剂。它可用于波长为248纳米的KrF准分子激光曝光。

为了制备用于研究的不同底层衬底，在石英反应器中通过低压化学气相沉积(LPCVD)在各种起始硅片上沉积多晶硅和氮化硅膜。用流速为60 cm³/min的硅烷气体(SiH4)沉积多晶硅膜。

放射性示踪剂实验程序：—为了制备放射性光致抗蚀剂，将一体积稀释的放射性示踪剂(0.005 M)与五体积光致抗蚀剂混合，并充分摇动