书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:混合清洁法减少铜后CMP缺陷
编号:JFKJ-21-837
作者:炬丰科技
关键词:减少缺陷,铜CMP,后清洁。
摘要
本文开发并实施了一种依次结合酸性和碱性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗过程。新工艺展示了相对于全碱性刷子清洁工艺,证明了酸性和碱性清洁的优点,并使CMP缺陷减少超过60%,如抛光残留物、异物、泥浆磨料、划痕和中空金属工艺。它还消除了在辊子刷清洁过程中间歇性发生的圆环缺陷。TXRF扫描确认在使用混合清洁过程时AlOx缺陷的减少。XPS光谱显示了碱性和杂化清洁过程之间相似的铜表面氧化态。通过使用新的清洁工艺,可以提高短期和开放的产量。讨论了巨大的缺陷减少效益的潜在机制。
介绍
对于具有铜互连的半导体制造,与铜化学机械平面化(CMP)过程相关的缺陷往往是主要的屈服分离器。由于CMP是在完全定义一个铜互联之前的最终启用工艺,它不仅可以在过程中产生缺陷(例如划痕和抛光残留物),还可以揭示或装饰之前工艺步骤产生的缺陷,如rie后清洗、衬里沉积和铜镀。因此,铜CMP后的清洗过程不仅必须消除CMP期间产生的缺陷,还需要与之前的过程兼容,以防止进入CMP的缺陷加剧。
在本文中,我们研究了酸性和碱性清洁化学物质的优点,并通过实施两种不同的清洁化学物质开发混合清洁过程3,以满足铜CMP清洁的挑战。
实验的
实验采用了基于32nm和22nm设计规则的铜金属化叶片。所有的晶片都用酸性铝化铜浆和基础化学的硅基屏障浆进行抛光。在清洁模块中对各种cmp后的清洁化学品进行了测试。其中,化学A是酸性的,而化学B是碱性的。这些化学物质在不同顺序的各种清洗过程中进行评估,如表i所示。BR1和BR2指的是使用化学喷雾的滚子刷1和2中的清洗