《炬丰科技-半导体工艺》混合清洁法减少铜后CMP缺陷

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：混合清洁法减少铜后CMP缺陷
编号：JFKJ-21-837
作者：炬丰科技

关键词：减少缺陷，铜CMP，后清洁。

摘要
本文开发并实施了一种依次结合酸性和碱性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗过程。新工艺展示了相对于全碱性刷子清洁工艺，证明了酸性和碱性清洁的优点，并使CMP缺陷减少超过60%，如抛光残留物、异物、泥浆磨料、划痕和中空金属工艺。它还消除了在辊子刷清洁过程中间歇性发生的圆环缺陷。TXRF扫描确认在使用混合清洁过程时AlOx缺陷的减少。XPS光谱显示了碱性和杂化清洁过程之间相似的铜表面氧化态。通过使用新的清洁工艺，可以提高短期和开放的产量。讨论了巨大的缺陷减少效益的潜在机制。

介绍
对于具有铜互连的半导体制造，与铜化学机械平面化(CMP)过程相关的缺陷往往是主要的屈服分离器。由于CMP是在完全定义一个铜互联之前的最终启用工艺，它不仅可以在过程中产生缺陷（例如划痕和抛光残留物），还可以揭示或装饰之前工艺步骤产生的缺陷，如rie后清洗、衬里沉积和铜镀。因此，铜CMP后的清洗过程不仅必须消除CMP期间产生的缺陷，还需要与之前的过程兼容，以防止进入CMP的缺陷加剧。
在本文中，我们研究了酸性和碱性清洁化学物质的优点，并通过实施两种不同的清洁化学物质开发混合清洁过程3，以满足铜CMP清洁的挑战。

实验的

实验采用了基于32nm和22nm设计规则的铜金属化叶片。所有的晶片都用酸性铝化铜浆和基础化学的硅基屏障浆进行抛光。在清洁模块中对各种cmp后的清洁化学品进行了测试。其中，化学A是酸性的，而化学B是碱性的。这些化学物质在不同顺序的各种清洗过程中进行评估，如表i所示。BR1和BR2指的是使用化学喷雾的滚子刷1和2中的清洗