《炬丰科技-半导体工艺》硅上的单片紫外 LED 光电探测器

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅上的单片紫外 LED 光电探测器
编号：JFKJ-21-1150
作者：华林科纳

首次展示单片集成紫外灯(紫外线)发光二极管和可视百叶窗,基于在硅上生长的相同III族氮化物宽带隙外延结构的紫外光电探测器(PDs)。片上光学互连和紧凑型光隔离器应用的机会，以及可见光盲光通信、生化检测和环境监测。使用金属有机化学气相沉积法在6英寸(111)硅上生长铝镓氮化物材料，这种结构类似于高电子迁移率晶体管的结构。这种形式能够在最终的光电探测器中实现低暗电流测量。

图1 单片集成的LED和光电探测器示意图
光电探测器以类似光电晶体管的方式工作，在一对欧姆接触之间有一个6 mx100 m的p-GaN“光门”(见图1)。30米x100米的发光二极管产生的光子来自p-GaN阳极提供的空穴和在AlGaN/GaN界面附近形成的二维电子气体(2DEG)中的电子的复合。在我们的集成系统中，LED空间分离的“光门”对光电探测器“通道”中电流的调制是通过LED和光电探测器之间的二氧化硅、氮化镓和氮化镓中的紫外光传输来实现的。

制作顺序为:发光二极管阳极和光电探测器栅极的p-GaN构图；用于发光二极管阴极和光电探测器AlGaN接触的钛/铝/镍/金欧姆接触沉积；用氟离子注入进行器件隔离；用50纳米等离子体增强化学气相沉积二氧化硅进行钝化；发光二极管上透明镍/金欧姆接触沉积和退火p-GaN阳极；以及厚镍/金接触垫沉积。

在5V偏压下，光电探测器显示出3.9x 10–7Ma/mm的低暗电流和0.43mA/mm的光电流，来自商用发光二极管的0.024mW/cm2功率的紫外光~365nm波长。将1.1x106的光暗电流比描述为“极好”