《炬丰科技-半导体工艺》原子层沉积(ALD)工艺

最新推荐文章于 2022-01-08 13:08:44 发布
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本文详述了原子层沉积(ALD)工艺的原理和在微电子学中的应用，包括电介质氧化膜和金属化氮化物薄膜的沉积。ALD凭借其精确的厚度控制和自限性生长机制，适用于大面积薄膜的均匀沉积，有望在集成电路制造中发挥关键作用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：原子层沉积(ALD)工艺

编号：JFKJ-21-676

作者：炬丰科技

关键词: 原子层沉积(ALD)；原子层外延；薄膜

摘要

本文介绍了原子层沉积(ALD)法的原理，强调了前体和表面化学的重要性。通过适当调整实验条件，即温度和脉冲时间，生长通过饱和步骤进行。作为例子，描述了最近为微电子学中使用的薄膜开发的选定的ALD工艺。这些包括沉积用于电介质的氧化膜，以及用于金属化的氮化物和金属膜。使用等离子体源来形成自由基将ALD薄膜的选择范围扩大到了金属。等离子体增强

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