《炬丰科技-半导体工艺》走向连续波 UV-B 激光二极管

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：走向连续波 UV-B 激光二极管
编号：JFKJ-21-1177
作者：华林科纳

迄今为止发射波长为300nm的UV-B激光二极管(LD)的阈值电流密度最低。13.3kA/cm2阈值是由美卓大学、三井大学、朝日开赛公司和名古屋大学的一个团队实现的，他们特别专注于优化波导厚度和包层结构。低于10kA/cm2的阈值是实现连续波操作的必要条件，这将提高紫外激光二极管在工业、医学和生物技术中的应用潜力。另一个要求是，工作电压应小于10V。UV-B的波长范围为280~315nm。
在之前的工作中，发现UV-B激光二极管的氮化铝镓(AlGaN)结构的一个问题是波导层的自发发射，这寄生于器件性能，减少了进入激光活动区域的带电载流子注入。通过细化波导，提高注入效率，优化包层，以保持/增强激光区域的光学限制，获得了最新器件结构的改进阈值。

受实验和模拟的启发，在AlGaN缓冲液上使用金属有机气相外延(MOVPE)制作了一个优化的器件（图1），缓冲液密度为~1x109/cm2的金属有机气相外延AlN模板上。n侧的包层是无意中掺杂的(u-AlGaN)，而上层的包层是技术重点：激光半导体今天的化合物和先进的硅卷。www.semiconductor-today.com78Team将300nm波长下的电流密度阈值降低到13.3kA/cm2。向连续波uv-b激光二极管的方向，图1。低位错密度AlGaN底层的增强型UV-B激光二极管设计。掺杂镁以产生p型电导率。
器件制造工艺采用电感耦合等离子体(ICP)台面蚀刻和电子束蒸发法沉积钒金钛金n电极和镍铂金p电极。用二氧化硅电分离n电极和p电极。接触垫由钛/金组成。在四甲基氢氧化铵溶液中，使用等离子体蚀刻和湿蚀刻的组合创建了未涂覆的镜面。
具有2000µm谐振器长度和10µm对电极宽度的激光二极管的激光阈值电流密度为14.2kA/cm2，而该小组之前报道的类似激光二极管的电流密度为25kA/cm2。将这种改进归因于注入效率和光学限制的提高。

在一系列具有谐振器长度和p电极宽度的激光二极管的实验中，得出结论，为了进一步降低阈值电流，还需要进一步研究一些因素。具有13.3kA/cm2阈值的最佳器件具有2000µm谐振器和15µmwidep电极（图2）。

实验制备包括两个装置（图3），它们生长在底层的AlGaN缓冲液上，位错密度较高，为_{3x109/cm2。该组之前报道过AlGaN位错密度低至}7.5x108/cm2的材料，但选择了稍高的值来缩短生长时间。外延设计包括可变厚度的波导层(150nm和50nm)和上包层，其中有两个组成梯度步骤：激光 。不必要的子峰的来源被认为是由于波导层——在没有波导的几乎相同的LED结构上进行的实验并没有显示出这种发射。因此，减少波导厚度可以减少亚峰发射。
当然，减薄波导减少了有源层中的光学限制，这对于激光发射是必要的，因此有一种权衡。仿真结果表明，样品B较薄的波导允许更多的光进入吸收的上包覆层，降低了激光效率。相对于150nm波导结构的100/cm，光吸收率估计为260/cm。在制作13.3kA/cm2阈值器件之前，我们进行了进一步的模拟来优化结构。