《炬丰科技-半导体工艺》光波导玻璃的X射线光电子能谱研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：光波导玻璃的X射线光电子能谱研究
编号：JFKJ-21-1300
作者：华林科纳

本文用x射线光电子能谱(XPS)对几种掺锗硅玻璃在六氟化硫（SF、）中反应离子蚀刻(ME)前后的性能进行了表征，研究了表面成分的变化随蚀刻条件和速率的函数，我们观察到，在所有情况下，表面化学计量学与体积组成有显著差异，采用火焰水解沉积(FHD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)两种工艺生长的材料表现出非常不同的蚀刻特性。
在本实验中，我们用x射线光电子能谱(XPS)分析了锗掺杂层的沉积和蚀刻表面,该系列样品包括一系列的Ge浓度(3、7和20mol.%)，以及由FHD或PECVD技术形成的层，以便对这些变量的化学计量学和表面结构的细节进行评估,研究了表面成分作为蚀刻条件和速率的函数，在一系列的实验中，系统地改变了功率水平（100-200W）和压力（50-100mTorr）。SF、气体的流量保持在25sccm的水平，蚀刻时间保持在10min,然后通过剥离光刻胶，用触针式轮廓仪测量步高来计算蚀刻率，样品在真空发生器(VG)HB-100电子谱仪中进行研究。
将三种不同掺杂的材料(3、7和20mol.%Ge)进行不同的RIE环境（即气压和功率水平），然后将样品进入电子谱仪进行XPS分析，根据实验部分的定义，轻度氩离子蚀刻用于清除少量的大气污染，XPS表明该过程对表面成分的影响最小。如图所示1是在任何RIE处理之前，20%Ge样品的A1KaXPS宽扫描谱，峰值赋值供参考。

图3显示了3%的RIE处理后x射线光电子光谱的变化，请注意，这三种光谱的氟强度有很大的变化，氟的存在几乎肯定是RIE过程的结果，但不知道它以什么形式存在，在使用CF的RIE情况下，已知会形成残留的氟碳薄膜，但在目前的情况下，腔内没有碳可以发生这种反应。

图3显示了3%的RIE处理后x射线光电子光谱的变化，请注意，这三种光谱的氟强度有很大的变化，氟的存在几乎肯定是RIE过程的结果，但不知道它以什么形式存在，在使用CF的RIE情况下，已知会形成残留的氟碳薄膜，但在目前的情况下，腔内没有碳可以发生这种反应。

氟的沉积量可能与反应的程度直接相关，即在表面观察到的F越多，表面的RIE越大，
考虑到表面性质与体积的区别，上述F污染物的覆盖范围可能会影响所确定的定量数据的准确性；然而，由于高BE峰(即低KE电子)的影响更明显，因此对于Si和Ge峰的问题可能不是很重要。数据可以看出，20%锗掺杂PECVD材料与3%和7%FHD材料的表现不同，即使对于未经处理的表面，PECVD生长的样品在表面也比FHD表面显示出更多的Ge(与Ge的整体浓度相比)，PECVD材料的蚀刻速率也远高于FHD材料，进一步表明不同生长的样品之间可能存在结构差异，对于所有被研究的样品，表面的GE相对含量在RIE后增加，表明硅优先蚀刻，留下富含Ge的结构，这种效应对FHD材料更为明显，再次指出了结构上的差异。
从目前对x射线光电子表面的掺杂硅波导光谱研究材料，在反应离子蚀刻处理之前和之后，我们观察到，在所有情况下，表面化学计量与体积组成显著不同，不同掺杂的材料具有非常不同的刻蚀的特性，这可能取决于掺杂剂的数量和用于形成材料的沉积过程，在所有蚀刻表面检测到大量但变化的氟，这可能对最终波导质量和特性产生影响，x射线光电子能谱分析表明，选择正确的RIE条件可以尽量减少表面氟污染物的数量。