NMOS 寄生电容信号整形

最新推荐文章于 2024-11-21 12:02:39 发布
最新推荐文章于 2024-11-21 12:02:39 发布
阅读量241 收藏
点赞数
文章标签： 信号处理
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/joelseashore/article/details/130611568
版权

图一示电路9604709a52f240c1b334e7c98e26504b.jpg

 测得方波信号为 

b9842dd7abb04e189522b2f78410ec5f.jpg

 NMOS管的寄生电容产生了明显效应

de7f9471d09e4790be1110a8cad10305.jpg

 于是在1/2端子间增加负载电阻泄压

51dccbb178ab4c30a30a99d72f9d144a.jpg

 问题解决。测得信号为

086d1f5b41a24f63aeb865126c569e42.jpg

 完美解决。

joelseashore
关注
臭名昭著的MOS管米勒效应
记得诚
08-12 1万+
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台 带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？ MOS管Vgs小平台有改善 为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。
MOS管的知识，看这一篇就可以了
热门推荐
记得诚
11-20 1万+
文章目录1.场效应管分类2.N和P区分3.寄生二极管4.导通条件5.基本开关电路6.与三极管的区别7.G和S极串联电阻的作用8.G极串联电阻的作用9.MOS管的米勒效应10.选型要点 今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。 1.场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-
MOSFET的寄生电容
qq_60265388的博客
07-30 1万+
Ciss、Coss、Crss对于温度影响几乎没有变化。因此，可以说开关特性几乎不受温度变化的影响。
MOS管的寄生电容和寄生二极管
weixin_46251230的博客
10-14 2630
这是一个用单片机引脚控制NMOS管导通和截止，从而控制继电器的电路，这里NMOS管的寄生二极管是从S极到D极的，假如NMOS管接反了，二极管负极在下，正极在上，则线圈的电路始终是导通的，电流从12V出来经过线圈，再经过MOS管的寄生二极管到GND，因为内部寄生二极管无法控制，无论单片机引脚输出高电平还是低电平，MOS管始终导通，无法起到控制作用。在NMOS管的构造中，衬底B与源极S、漏极D均存在PN结，由于源极S与衬底B相连，左边的二极管无效，源极S与漏极D存在寄生二极管，方向为S指向D。
硬件基础——mos管
Malqaq的博客
04-13 5947
文章目录前言一、寄生参数二、使用步骤1.引入库2.读入数据总结 前言 MOS管设计重点 一、寄生参数 1.寄生电容 mos管有寄生电容Cgs，此电容大小一般为pF级别，一般规格书可以查到。 使用时，要特别注意GS管教的寄生电容Cgs,控制MOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。（最好要加限流） 二、使用步骤 1.引入库 代码如下（示例）： import numpy as np import pandas as pd import matplotlib.pyplot as plt imp
MOS管相关
qq_43199613的博客
05-23 2716
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损耗。◆当VGS电压达到VGP，ID达到最大值，VDS开始下降，CGD上的电压也随之减小，也就伴随着CGD的放电，栅极电流基本上用于 CGD 的放电，使得MOSFET的栅极电压基本保持不变，此时进入米勒平台时期(根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。
MOS管为什么会存在寄生电感
谢谢关注“小鱼教你模数电”,各平台同号
09-10 2024
其实MOS管是做在一块晶粒上，这个晶粒其实是比较小的，然后MOS管的封装外壳比这个晶粒的尺寸会大很多，封装外壳的引脚与晶粒上的焊盘是通过导线连接的，正是这个导线引入了寄生电感，所以这个寄生电感也称为引线电感。说到MOS管的寄生参数，我们一般都只想到mos管各极间的寄生电容，很少会想到MOS管的寄生电感。并且一般晶圆到源极的引线大于到漏极的引线，所以一般源极的寄生电感大于漏极的寄生电感。其实分立的MOS管它是存在寄生电感的，并且栅极，源极和漏极都存在。MOS管的这个寄生电感感值一般是NH级别。
linux ttl信号处理,TTL和带缓冲的TTL信号（详细）
weixin_33375038的博客
05-14 2475
TTL(逻辑门电路)全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管)和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74AL...
电路设计的NMOS与PMOS应用：从入门到精通的全方位指导
[NMOS和PMOS有什么区别？.pdf](https://img-blog.csdnimg.cn/937638741d2448e989c2c77509386f03.png) # 摘要 本文对MOSFET的基础知识和分类进行了详细阐述，并深入探讨了NMOS与PMOS的工作原理及特性差异。文中重点...
图腾柱电路混合信号系统集成挑战：解决方案与实践技巧
本文系统地探讨了图腾柱电路在混合信号系统集成中的基础、设计、优化以及实践技巧，重点分析了模拟与数字信号交互所面临的挑战，包括信号完整性和噪声干扰的抑制技术。同时，本文讨论了图腾柱电路的设计原则、性能...
CMOS施密特触发器电路版图设计的可靠性与信号完整性分析
在此基础上，探讨了版图设计的步骤、信号完整性和可靠性分析的重要性。文章进一步通过模拟与仿真、布局与走线技巧、以及验证与可靠性测试，展示了电路版图设计的实践过程。最后，针对版图设计中的优化技术与挑战进行...
连续时间多bit sigma-delta调制器的动态元件匹配技术以解决静态和动态误差
qq_33467472的博客
01-16 1780
模拟ADC 性能离散度分析
深度解析NMOS特性与优化策略：突破设计瓶颈，实现高效电路设计
最新发布
weixin_43199439的博客
11-21 1361
在NMOS晶体管中，正栅电压吸引电子进入导电通道，从源极到漏极形成电子流。而在PMOS晶体管中，负栅电压吸引孔进入通道，从源极到漏极形成电流。栅极电压的极性对电流的导通至关重要，正电压或负电压决定了对应类型的MOS晶体管是否导通。PMOS晶体管的结构与NMOS晶体管有所不同。PMOS晶体管通常通过在p型衬底内制造一个n型的井（N-well）来实现。在PMOS晶体管中，电流的载流子是孔，而不是电子，如在NMOS晶体管中。因此，PMOS晶体管需要在p型衬底中引入n型的区域来形成导电通道。
硬件---7MOS管---开关电路设计、寄生电容、寄生二极管、做开关电源注意事项
weixin_44176501的博客
11-20 2832
一般情况下MOS管的源级都会连接GND，当不直接连接GND时就会存在一些注意事项，对这个电路进行简单说明，其实也是MOS管的一些特性，当没有上电的时候，所有极都是0V，上电后栅极为5V，假设MOS管导通电压是3V，Vgs大于导通电压，MOS管导通，导通后电流从D极流向S极，因为源级不接GND，所以源级电压会逐渐升高，直到Vgs小于饱和导通电压，从而进入放大区，这个时候MOS管相当于一个电阻，无论D极电压怎么改变，MOS管也不会在进入饱和导通区，一直处于放大区。但是电源不是凭空出现的，这就会导致预算的增加。
三极管
10-08 2564
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
【MOS管】基础知识和简易电路
外来物种
01-11 9452
1. 简介 一、MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。 二、常见的 NMOS 和 POMS 的原理与区别 NMOS NMOS 英文全称为 N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为 NMOS 晶体管。 MOS晶体管
MOS管符号识别&MOS管不同功能&MOS管与寄生电容
超级霸霸强的博客
07-03 5885
VGS的大小与MOS管的功能的关系 MOS管特性简介 （以PMOS为例） MOS管的输出特性曲线： MOS管的输入输出特性曲线： MOS管在数字电子技术中的应用 数字电子技术中我们只在乎两个状态，即电路的导通与截止，导通状态对应MOS管的饱和状态，截至状态对应MOS管的截至状态。 那为什么MOS管的状态不能在恒流区呢？ 我们的数字电子技术中只能由1，0两种状态，虽然对于5V电源系统来说，高电平并不是绝对的5V，他是一个区间3.3V-5V，低电平也一样，低电平指的...
NMOS选型
Eleconsume的博客
02-14 5371
1.封装尺寸，基本上封装越大，能承受的电流就越大 2.导通电压Vgs，尽量选择比实际电路中可提供的控制电压小的mos。比如控制电压可提供3V，则mos尽量选择Vgs小于2V的。 3.导通电阻Rds-on.越小越好，导通电阻越小，分压越小，发热越小，价格越高，可能封装也会越大。 4.寄生电容Cgs。会影响到mos的打开速度，因为要打开mos，首先要给电容充电，将示波器时间刻度调整，可以看到波形爬升需要的时间，寄生电容太大，方波会失真。Rds越小，Cgs越大。 ...
线性能量传输值对SOI NMOS寄生双极效应的研究
"这篇论文由刘红侠和卓青青共同撰写，研究了线性能量传输值（LET）对硅-on-绝缘体（SOI）NMOS器件中寄生双极放大效应的影响。该研究利用ISE-TCAD二维模拟软件，对比分析了全耗尽（FDSOI）和部分耗尽（PDSOI）SOI ...
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值