DC-DC 自举电容

目录

自举电容工作过程

为什么需要自举电容

为什么要用NMOS而不是PMOS

自举电容容值怎么选

总结

调试案例

---

自举电容工作过程

框图外围BS与LX接有自举电容

1、当下管MOS导通，LX端接地，电压为0V，电容BS端因为有内部LDO的支持，大约有3.3V的电压。

2、当下MOS关闭，此时芯片LX端类似浮空，因为下管已经关闭了，由于自举电容两端电压不能突变，对于自举电容来说，当时的BS端电压比LX端电压高3.3V，当PWM控制器对高边MOS的驱动器输入高电平时，驱动器输出对LX端的压差就为3.3V，这个电压也是Vgs,此电压可以将上MOS管导通。在高边MOS打开的过程中，LX的电压瞬间上升，意味着高边MOS S极的电压也是瞬间上升，这个时候由于有自举电容的存在，Vgs依然保持为3.3V，高边MOS一直在打开的状态。

        自举电容，就是自己把自己G极的电压给抬起来了。

  

        如下图是自举电容两端的电压，紫色为上端，靠近芯片BS端，黄色为下端，靠近电感端。

        可以看到，随着上下MOS管的打开关闭，上端的最低电压为3.3V，是内部LDO的输出。下端在0V和V INV之间跳变。

为什么需要自举电容

因为内部为NMOS管，决定了需要一个大于LX的电压，才能将上N MOS管导通。

为什么要用NMOS而不是PMOS

之所以使用N MOS管，是因为从性质上，就比P MOS的导通电阻小，压降小，发热量小，效率更高。所以在比较大功率的DCDC上，都会选择N MOS，简单一些功率小的芯片，会选择P MOS，因为设计简单。

自举电容容值怎么选

电容偏大，会导致在下MOS管导通的时候，电源对自举电容的充电无法充满，上电压无法使高边MOS导通，输出电压异常。

电容偏小：

1、高边MOS G极导通能量不足；

2、高边电路静态电流问题；

3、驱动IC能量消耗问题；

4、高边MOS G极漏电流；

5、自举电容漏电流。

从经验来看，多用0.1uf左右的容值。

总结

自举电容的意义是，由于使用了N MOS管，高边MOS的V g必须要大于V s，但V s基本就是V IN的电压，比如5V，12V，原则上芯片内部没有再比这个V IN更高的电压了，所以需要一个电容，本着电容两端电压不能突变的原理，使得高边MOS能够正常打开。

调试案例

调试一个DC-DC电路，16V/20A的芯片，功率算是中等偏上。

DCDC工作不正常，空载有输出，接负载后，电压马上掉落到大概2.3V，一开始以为是电感选取不对，瞬态响应不足，调了电感和工作频率，都不怎么有效。

下图是EN（紫色） 和输出（黄色）测量波形图，可以看到输出电压在一开始为正常的3.3V后，又掉落到2.3V左右。

下图为输入电压和输出电压的波形图：

从以上时序图当中，基本排除了输入电压与EN信号的影响，这两个信号都是正常的。

最后发现是当时的工程师，将原理图画错，自举电容应该在电感之前，画在了电感之后。

 这是正常情况下的自举电容的电压。

如果将自举电容连接到电感后面，会由于输出是一个稳定的值，使得这个电容无法通过瞬间充电，达到开启高边MOS的作用。

异常时的电感端波形。