BJT晶体管的参数

   λ—光谱半宽度
　　VF—正向压降差
　　Vz—稳压范围电压增量
　　av—电压温度系数
　　a—温度系数
　　BV cer—基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
　　BVcbo—发射极开路，集电极与基极间击穿电压
　　BVceo—基极开路，CE结击穿电压
　　BVces—基极与发射极短路CE结击穿电压
　　BVebo— 集电极开路EB结击穿电压
　　Cib—共基极输入电容
　　Cic—集电结势垒电容
　　Cieo—共发射极开路输入电容
　　Cies—共发射极短路输入电容
　　Cie—共发射极输入电容
　　Cjo/Cjn—结电容变化
　　Cjo—零偏压结电容
　　Cjv—偏压结电容
　　Cj—结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
　　CL—负载电容（外电路参数）
　　Cn—中和电容（外电路参数）
　　Cob—共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
　　Coeo—共发射极开路输出电容
　　Coe—共发射极输出电容
　　Co—零偏压电容
　　Co—输出电容
　　Cp—并联电容（外电路参数）
　　Cre—共发射极反馈电容
　　Cs—管壳电容或封装电容
　　CTC—电容温度系数
　　CTV—电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
　　Ct—总电容
　　Cvn—标称电容
　　di/dt—通态电流临界上升率
　　dv/dt—通态电压临界上升率
　　D—占空比
　　ESB—二次击穿能量
　　fmax—最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
　　fT—特征频率
　　f—频率
　　h RE—共发射极静态电压反馈系数
　　hFE—共发射极静态电流放大系数
　　hfe—共发射极小信号短路电压放大系数
　　hIE—共发射极静态输入阻抗
　　hie—共发射极小信号短路输入阻抗
　　hOE—共发射极静态输出电导
　　hoe—共发射极小信号开路输出导纳
　　hre—共发射极小信号开路电压反馈系数
　　IAGC—正向自动控制电流
　　IB2—单结晶体管中的基极调制电流