MOS测试仪

ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，
通过USB或者RS232与电脑连接，通过友好的人机界面操作，即可完成测试。并实现结果以EXCEL和WORD的格式保存。提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。
序号 测试器件 测试参数
01 绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS
02 MOS场效应管
MOS-FET IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
03 J型场效应管
J-FET IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF
04 二极管
DIODE IR；BVR ；VF
05 晶体管
（NPN型/PNP型） ICBO；ICE