为什么NMOS管比PMOS管更受欢迎？

NMOS 在实际应用中为何比 PMOS 要更受欢迎，本文将从导电沟道、电子迁移率和器件速度等多个方面来展开讲解。

首先是在性能方面考虑：

与 NMOS 管驱动能力相同的一个 PMOS 管，其器件面积可能是 NMOS 管的 2～3 倍，然而器件面积会影响导通电阻、输入/输出电容，而这些相关的参数容易导致电路的延迟。

同样，在相同的尺寸条件下，PMOS 管沟道导通电阻比 NMOS 要大一些，这样开关导通损耗相应也会比 NMOS 管要大一些。

在沟道方面我们还可以进行再详解：

NMOS 的沟道是由 N 型半导体构成，而 PMOS 的沟道则是由 P 型半导体构成。由于 N 型半导体的电子浓度比 P 型半导体高，所以 NMOS 的电子迁移率比 PMOS 高，也就是说，在相同的电场下， NMOS 中的电子速度比 PMOS 中的电子速度快。

在这里我们需要提到，由于有了迁移率的差别，才有速度与沟道导通电阻的差别，也正是如此， PMOS 管的应用范围受到限制。

在工艺方面，PMOS 管与 NMOS 管的制造差异并不大，随着工艺的不断进步，这种差异也已经越来越小。

那么，为什么 NMOS 的电子迁移率比 PMOS 高，NMOS 中的电子速度比 PMOS 中的电子速度快？

我们简单先了解电子/空穴迁移率：

电子迁移率，指的是电子在电场力作用下运动快慢的物理量。

电子浓度相同的两种半导体材料，一般情况下，在两端施加相同的电压，迁移率更大的那个半导体材料，它里面的电子运动速度越快，单位时间通过的电子数会越多，也就是说，电流越大。

因此我们可以解释为，电子迁移率越高的半导体材料，其电阻率越低，在通过相同的电流时，其损耗会越小。

空穴迁移率与电子迁移率一样：空穴迁移率越高，损耗越小。

不过在一般情况下（上面也有提到），电子的迁移率是要比空穴要高的。

这是因为空穴是电子的空位，空穴的运动，本质上来讲，是电子从一个空穴移动到另外一个空穴。

这里就要回来讲 NMOS 和 PMOS 的导电沟道差异了。

MOS 的载流子只有一种，电子或者空穴。在偏压下会形成反型层作为导电沟道，也就是载流子的迁移路径。

NMOS 管在导通时形成的是 N 型导电沟道，也就是说用来导电的是电子。而 PMOS 管导通，形成的是 P 型导电沟道，用来导电的是空穴。简单笔记如下：

类别	沟道	载流子
NMOS	N型	电子
PMOS	P型	空穴

一般而言，电子迁移速率是空穴迁移速率的 5 到 10 倍，根据材料和结构以及其本身特性的不同，这个倍数甚至会更高。因为电子比空穴的迁移率要高，所以同体积大小与同掺杂的情况下，NMOS 管的损耗要比 PMOS 管小很多。

除了功耗之外，电子/空穴迁移率还影响着器件的速度。

NMOS 管的截止频率（输入/输出 = 1 时的频率）

从结果会得出，截止频率与电子迁移率成正比。

因此，电子迁移率越高，NMOS 管可以在更高的频率的情况下工作。

当 NMOS 的 Vgs 电压高频率变化时，形成的导电沟道的厚薄也会跟着发生变化。

这个导电沟道的变化是通过电子的移动来形成的，电子移动速度越快（换言之电子迁移率越高），那么导电沟道就能更快地响应 Vgs 的变化，其中的缘由涉及到 NMOS 管的工作原理。

这就说明，电子迁移率越高，器件的工作频率越高。同样的，PMOS 管也一样。

除了以上讲的几个方面外，选择 NMOS 管较多的还有其它因素，比如价格问题，市面上的 PMOS 一般会比 NMOS 的价格要高，这是因为市场经济方面多个因素构成的，在选择 MOS 管时，NMOS 在综合考虑之后被选择的要多的多。

对于 NMOS 管在实际应用中更受欢迎的原因，最后做个简单总结：

①NMOS 的沟道导通电阻要比 PMOS 小得多，其开关导通损耗较小。如下图英飞凌的 NMOS，导通电阻只有 0.74mΩ。除了 IAUS300N04S4N007，类似的还有新洁能的 NCEAP40T35ALL/0.8mΩ。

②NMOS 是 N 型沟道，载流子是电子；PMOS 是 P 型沟道，载流子是空穴。电子迁移速率比空穴迁移速率要快，在损耗方面与开关速度方面 NMOS 更有优势。

③N 型 MOS 管通过的电流能力相比 PMOS 会更大。

④市面上的价格等因素影响，同等条件下 PMOS 比 NMOS 价格要高。

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