ASMC（异步静态存储控制器）

SAM3U中文手册(24-静态存储控制器 SMC)
STM32的FSMC灵活静态存储器控制器
静态存储控制器FSMC

同步SRMA比异步SRAM更快。 内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。 内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，还要看一看其所用内存的种类，工作速度。 有关内存的名词 关于内存的名词众多。为了便于读者查阅，下面集中进行介绍。

RAM（Random Access Memory）：随机存储器
EDO RAM（Extended Data Output RAM）扩充数据输出随机存储器
BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突发扩充数据输出随机存储器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器
Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：异步静态随机存储器
PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水线）突发静态随机存储器
CVRAM（Cached Vedio RAM）：缓存型视频随机存储器
CDRAM（Cached DRAM）：缓存型动态随机存储器
EDRAM（Enhanced DRAM）：增强型动态随机存储器

各种内存及技术特点
DRAM 动态随机存储器 DRAM主要用作主存储器。长期以来，我们所用的动态随机存储器都是PM RAM，稍晚些的为FPM RAM。为了跟上CPU越来越快的速度，一些新类型的主存储器被研制出来。它们是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM芯片设计得象一个二进制位的矩阵，每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为70ns的芯片要用70ns的时间读出一个位的数据。并且还要用额外的时间从CPU得到地址信息设置下一条指令。芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”，指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器，在过去一直是主流PC机的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取时间为70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz（兆赫兹）的奔腾系统（CPU主频为100，133，166和200MHz）。 快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns，这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被CPU存取，而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作，从而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 扩充数据输出随机存储器 在DRAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extended data out??EDO，有时也称为超页模式??hyper－page－mode