半导体测试(一)

本文详细介绍了半导体制造中wafer的结构、die的定义及其测试(CP和FT测试)、探针台的作用,以及封装过程中的关键步骤,特别是DIP陶瓷封装。

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1.wafer

半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片,在这个半导体的基础之上,建立了许多独立的单个的电路。主流的8寸或12寸wafer以notch(凹槽)作为角度参考,进而建立坐标以标记每一颗die的物理位置。在notch附近一般还有lot id等标记wafer的身份信息,以回溯生产和流转。

wafer
wafer
lot ID

2.Die

一片晶圆上这种单个的电路被称为die,它的复数形式是dice。每个die都是一个完整的电路,和其他的dice没有电路上的联系。die与die之间存在间隙,成为切割道,通过一整套完整的晶圆切割工艺,wafer被分割成die,按测试结果挑出需要后续测试的die进行封装。

半导体工艺流程是指将半导体材料制造成可用于电子器件制造的半导体芯片的过程。下面是对半导体工艺流程的简要描述: 1. 半导体材料生长:首先,选择适当的半导体材料,如硅或镓等,通过化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)等方法,在体生长基底上生长出单半导体薄膜。 2. 圆制备:将生长好的单半导体薄膜切割成适当大小的圆形圆。通常,硅圆直径为6英寸、8英寸或12英寸。 3. 清洗和去胶:使用化学溶液对圆进行清洗,去除表面的杂质和有机胶层,以确保圆表面的干净和纯净。 4. 残留薄膜去除:使用化学机械抛光(CMP)等方法,去除圆表面上残余的薄膜层,以获得更加平整的表面。 5. 氧化层生成:将圆置于氧化炉中,通过高温氧化的方式,在圆表面形成氧化硅(SiO2)的保护层。这步骤也被称为“门氧化”。 6. 清洗和双胞贴合:将圆置于清洗液中进行清洗,然后用热膨胀过程将块或多块圆贴合在起,形成多层结构。 7. 点蚀法形成电极:通过光刻和点蚀等工艺,在圆表面形成金属导电线路,作为体管的电极。 8. 化学气相沉积(CVD)形成透明导电膜:通过化学气相沉积(CVD)等方法,在圆表面形成透明导电膜,如氧化锌(ZnO)或氧化铟锡(ITO)。 9. 化学机械抛光(CMP):使用化学机械抛光(CMP)方法,将圆表面抛光成光滑平整的形状,以去除表面的不平坦和不均匀性。 10. 化学蚀刻:使用化学溶液对圆进行化学蚀刻,将需要的金属导电线路和结构形状暴露出来。 11. 清洗和测试:最后,对圆进行清洗,去除任何残余的杂质,并进行电学和物理测试,以确保芯片的质量和性能。 以上是对半导体工艺流程的简要描述,实际的工艺可能会更加复杂,包括更多的步骤和精细的工艺控制。
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