集成电路老化--NBTI效应（2）

最新推荐文章于 2024-08-16 23:47:01 发布
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 CMOS反相器演示PMOS失效

         可以看到当输入为高时CMOS反相器输出应为低，但由于上方的PMOS管Vt升高导致无法彻底关断，输出没有实现反向，无论输入高或低输出都是高。

pmos失效的cmos反相器
正常的cmos反相器

       

 NBTI效应增大传播时延   

    NBTI最终表现为PMOS导通时间延长，从而增加CMOS电路的传播时延。当累积到一定程度时，进而造成时序违规。将输入调成三角波可以更明显的观察到Vt变化带来的输出变化。通过波形图可以看到Vt升高后输出信号发生变化，这种变化的累积会对集成电路偏离设计，损失性能乃至失效。

Vt不同时输出对比

NBTI导致的关键路径上的时序违规
Qin_Baba
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pMOS器件NBTI效应
11-30
pMOS器件的NBTI效应分析，对pMOS器件的相关性能影响
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weixin_50839088的博客
05-11 3623
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集成电路老化--NBTI效应
m0_37606066的博客
03-13 1408
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佛曰不可说
01-27 7957
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08-16
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08-13 762
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qq_45831414的博客
08-14 589
URI是一种通用的标识符，可以指代任何类型的资源。URL是一种特定类型的URI，它不仅标识资源，还提供了访问该资源的方法。URN是一种用于唯一命名资源的特殊URI类型。URC是一个概念性的术语，用于描述如何构建或创建资源的过程。通过理解这些概念的区别，我们可以更加清晰地识别和使用互联网资源的标识方式。在日常工作中，我们最常遇到的是URL，因为它们是我们访问网页和其他在线资源的基础；而URN则在需要持久引用资源的情况下使用。
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你知道什么事芯片的NBTI效应吗
06-02
是的，我知道关于芯片的NBTI效应。 NBTI（Negative Bias Temperature Instability）是一种常见的芯片老化效应，它会导致晶体管阈值电压的漂移，从而影响芯片的性能和可靠性。 NBTI效应是由于芯片中的PMOS晶体管在受到负偏压和高温的作用下，氧化层中的硅-氧化物界面处的缺陷逐渐增加，导致晶体管的阈值电压逐渐降低，使得芯片的性能和可靠性逐渐下降。NBTI效应的严重程度取决于晶体管的工作条件和芯片的使用环境。 为了减轻NBTI效应的影响，芯片设计工程师通常会采用一些策略，例如使用低温低功耗工艺、在晶体管的负偏压和高温情况下周期性地进行自愈复原，或者增加芯片的余裕，以降低NBTI效应对芯片性能和可靠性的影响。
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