基于传统算法的半导体晶圆缺陷检测原理及代码（二）

引言

半导体晶圆制造是一个极其复杂且高度精密的过程，在晶圆制造过程中，由于各种因素的影响，如原材料质量、工艺控制、设备精度等，不可避免地会产生各种缺陷。这些缺陷如果不能及时检测和处理，将会严重影响芯片的性能和成品率，增加生产成本。因此，半导体晶圆缺陷检测技术在半导体制造行业中具有至关重要的地位。传统算法在半导体晶圆缺陷检测中曾经发挥了重要作用，并且在一些特定场景下仍然被广泛应用。了解基于传统算法的半导体晶圆缺陷检测原理和方法，对于深入理解半导体制造工艺和质量控制具有重要意义。

（接上篇） 

• • 缺乏自适应性和学习能力：传统算法通常是基于预设的规则和模型进行缺陷检测，缺乏对不同工艺条件、晶圆类型以及新出现缺陷模式的自适应性和学习能力。一旦半导体制造工艺发生变化，或者出现新的缺陷类型，就需要人工重新调整算法参数甚至重新设计算法，这大大增加了检测系统的维护成本和开发周期。例如，当引入新的光刻技术或新型材料时，传统算法可能无法及时适应这些变化，导致检测准确性下降。
  • 受环境因素影响较大：光学检测中的明场、暗场检测以及激光检测等方法，对环境的光照条件、温度、湿度等因素较为敏感。微小的环境变化都可能导致检测结果出现波动，影响检测的准确性和稳定性。例如，光照强度的轻微变化可能改变晶圆表面反射光或散射光的强度，使得基于光