电源抑制比的优化

最新推荐文章于 2024-10-09 22:41:10 发布

阳眀芓

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文章标签：单片机嵌入式硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_46349108/article/details/142389016

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最近面试的时候被面试官问到做过的一个高带宽运放的PSRR是如何改善的，当时公司安排这个项目的时候给出的PSRR指标很宽泛，仿真了下达到指标后就没管了。。。查阅资料，作一番整理。在查阅过程中，发现一篇十几年前在eetop发布的文章，写的很有意思，特以此为基础进行PSRR的分析整理。

一、PSRR原理

PSRR即电源抑制比，指电源电压（包括地）对输出增益的影响，是差模增益和电源增益的比值。理想情况下希望电源电压变化对输出是没有影响的，即PSRR无限大。但事实上肯定不是这样。对于PSRR的仿真，一般可以通过将运放接成单位增益负反馈，挂一个1V电源电压，得到输出端电压，即为PSRR的倒数。

贴主这里一开始犯了个错误，那就是直接将PSRR等效为Vout/Vin除Vdd/Vin，得到PSRR的值与实际值互为倒数，这里首先增益表达式不对，其次Vout是运放增益和电源增益共同作用的结果，因为Allen采用的是一种闭环单位增益负反馈接反。

二、Allen的描述

首先看看Allen对PSRR的分析

1.正PSRR

对二级运放做小信号处理，Allen这里对V5电压做短路接地处理（这里存在疑问）。

对小信号模型b进行简化处理，Allen指出rds2左边和Vdd并联的半块不重要，忽略(为什么？贴主认为这是因为I3电流直接流向地，对V1和Vout没有贡献，但这与V5的虚地矛盾)，由于V5=0，并对流入M4的电流I3进行等效处理，得到了c图的简化模型。

（根据b图可以分析得到I3=gm1Vout+流过rds1的电流，即

这里又做了gds1×gm3远大于1的处理，因此等效为两个受控电流源。）对于Allen采用的等效，其实对PSRR在高频的计算影响很大，这里先按下不表，对其分析做一段记录。

对节点V1和Vout列KCL方程，整理如下：

Allen这里跳了不少步骤，可以写出下面的原式更好理解：

$g_{ds1}V_{dd}+g_{ds4}(V_{dd}-V_{1})=(g_{ds2}+sC_{1})V_{1}+sC_{c}(V_{1}-V_{out})-gm_{1}V_{out}$

输出节点同理，写出上下左右电流的流入公式即可。

计算过程很复杂，关注的更多是趋势和影响因素，最终PSRR整理如下：

可以发现有两个零点和一个极点，且极点更靠里面。

从原理图中也可以发现一条从电源经M6和Cc到达输出的电源纹波路径，这与公式中的描述相符（GB与Cc有关）

2.负PSRR

b图是vbias接地时的情况，给贴主看的很懵逼，感觉应该采取了跟正PSRR时类似的处理？R2应该是6和7管电阻的并联和，通过的电流是原M7电流两倍。

c图是Vbias与电源无关时的情况，可以认为偏置电压来自于bandgap，但模型不是很懂。

同样地，列出节点方程：

这里略去整理过程，最终得到下式：

与正PSRR的结论相比，直流增益是小了（m7的跨导假设是大于输出电导），有趣的一是，运放的第二极点大小上等于PSRR的第二零点（当然，这与负载有关）。不过Allen采用的是闭环单位增益负反馈，闭环增益是不变的，因此这直观反映了高频下电源增益的衰减，这在前面的分析中做了陈述，因为在高频下密勒电容Cc被短路，电源纹波影响直接传播到输出。此外，PSRR会先在主极点处衰减，这与Cc也是有关系的，此时电源纹波得到了较好的放大，极大降低了PSRR。对于开环系统，结果应当是类似的（开环的分析意义倒不是很大）

对于Vbias与电源无关的情况，结果如下：

与无偏置相比，直流增益变大了，且多了个很远的极点（由M7的栅漏电容引起）。与PSRR+比较，直流增益差异在于分母从6管的电导变成了7管的电导（一般来说n管的输出阻抗会大于p管，所以负PSRR会大于正PSRR），这很好理解。

三、新解法

1.分析

EETOP上博主guang3000通过戴维南等效进行PSRR分析，简单快捷。

经过上面Allen的分析可以发现，计算过程繁琐而且夹杂各种近似，对最终结果有不小影响。

叠加定理不用赘述，分别只保留一个电压源计算输出电压，并进行叠加。

首先保留电源电压，短路输入电压：

这里M5的栅漏短接根据后面的分析应该是画错了。利用直观法，或者说类似cascode，可以得到vout和vdd的关系式（半边电路，流过M2的电流为跨导×Vgs）：

$V_{o}=\frac{g_{m2}}{(1+2g_{m2}r_{o5})g_{m4}}V_{dd}$

近似为:

$V_{o}=\frac{1}{2g_{m3}r_{o5}}$

对于Vin，即Vout引回来的信号，其原理图等效如下：

原贴主的处理是很经典的，对输入信号拆分成差模和共模的成分，快速运用差模共模增益公式，得到叠加的Vout。

$A_{cm}=-\frac{1}{1+2g_{m1}r_{o5}}\frac{g_{m1}}{g_{m3}}$

相比之下，共模增益很小，可以直接忽略。

等效阻抗就是输出阻抗，2和4的输出阻抗并联，戴维南等效后如下图：

这里比较在意的点是本来与第一级有连接的Vdd在等效后直接忽略了。戴维南等效应该是二端口网络的处理，那么这里相当于是将Vo和Vdd的影响都看作了黑匣子里的电压源，是有源二端口网络的等效。对于将输出的反馈看作输入的电压源的处理还是第一次见，值得思考。

接着类似Allen，对节点V1和Vo列KCL，这里省略计算过程，整理如下：

其中M,N是7管与5管的比例和6管与3管的比例。

与Allen的结果形式上看比较类似。

但不同于Allen的是，贴主考虑了M5，因此会出现M,N这些因素，Vdd的影响也存在M5和M7两条路径，而不是只有M7。M，N的比例实际上影响着极点位置和正负（右半平面增加PM而左半平面降低PM），同时对PSRR的正负也有影响。

进一步，贴主指出Vdd通过M5降低输出，通过M7提高输出（可以通过极性判断，低频情况）。

对于这个分析，后续需要通过仿真证明下PSRR的正负变化。

2.改善

贴主给出了一个类似GBW的概念，PGB，即PSRR的极点×增益，来观察频率特性。

$PGB=\frac{g_{m1}g_{m6}r_{o7}}{C_{1}+C_{c}}$

可以发现，改变N，PGB不变，增益上升而主极点左移。为了获得较好的频率特性，应该去增加1，6的跨导和7的输出阻抗，1的跨导和7的阻抗关系运放增益，6管跨导则和带宽有关，直观上来讲这与二级运放是类似的。减小Cc可以获得更好的相频特性和PGB，但这需要考虑密勒电容对运放的相位影响。

接着贴主给出了n管输入的PSRR计算，得到PGB如下：

（应该是p1）

相比p管输入，n管的Vdd同样通过两条路径影响Vout，但都是增加，即恶化了PSRR。此外，不受M和N的影响了。但主极点的位置相比p管的要更靠近原点，且调整空间较小。因此，p管输入的PSRR特性会好得多。

四、p输入折叠共源共栅

贴主接着给出了折叠共源共栅结构的分析。

类似上面，利用叠加原理分别计算Vdd从5管和3，4管对Vout造成的影响。

先利用诺顿等效处理输入级（不用戴维南应该是考虑到节点电压还与n管有源负载有关，不好计算）

求得Vout=bVdd

（直观法分析）

再分析Vdd从第二级造成的影响

同样利用诺顿等效，但这次没了输入级的Vdd。

这里省去计算，结果约为Vout=Vdd，系数约为1.

最后计算输入电压的影响：

类似二级运放，采用差模共模叠加，得到结果为Vout=AVin（共模增益很小，忽略），其中A为：

其实就是输出节点向上向下看的cascode阻抗并联。

最后得到一张非常简单漂亮的图：

列KCL计算如下：

这里做了b+m约等于1的处理。因为约化以及单级运放，式子相比二级运放简单很多，存在一个零点，一个极点，都在左半平面（感觉怪怪的，这意味着PSRR很长一段频域内会保持平稳）。由于R较大，极点一般会更靠近原点一点（也不一定）。

其PGB非常简洁漂亮，就是gm1/C2，增加输入跨导是比较好的。

五、折叠共源共栅二级运放

同样采用叠加原理，有

$V_{out}=(b+m)V_{dd}+AV_{in}$

贴主给出的计算过程感觉有点问题，这里直接给出结论，其趋势有一定参考性：

PGB=gm1/C，这说明增加gm1可以改善PSRR，是比较合理的。

值得注意的是，贴主最后对非理想电流源进行了考虑：

正如常见的运放一样，非无限大的电流源负载会影响Vdd经电流源传播的路径，在高频下带来不那么好的效果，这是可以预见的。

六、总结

对于Allen计算中的问题，回头找大佬请教下。与Allen的分析相比，eetop的guang3000哥采用了戴维南等效的方式对电路进行简化，得到类似的分析结果，其实计算过程也不算简单。。。但省去了小信号分析，这提高了准确性，对于处理复杂电路带来了优势，是一种值得学习的分析方法。

总的来说，当考虑与尾电流管相连的电源纹波时，尾电流管会影响PSRR的直流增益，也会影响零极点位置。理想情况下，如果对尾管虚地处理，相当于L无限小，则M无限大，N/M约为0，就没有影响了。尾管主要影响PSRR的主极点位置，其实对频率特性蛮重要，但对增益带宽没什么影响，在高频下需要谨慎选取大小。比较统一的是，增大输入对管跨导对大多数运放的PSRR都是有益的，这很好理解，降低寄生也是一个比较好的方式，因为这改善了高频特性。