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概念
本征半导体：是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。其中的载流子是由热激发产生的。
本征激发：获得足够热能的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的情况。
空穴：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后在共价键中留下的空位。
载流子：指空穴和自由电子
杂质半导体：一般分为P型半导体和N型半导体
P型半导体：在硅的晶体中参入少量三价元素杂质（如硼）形成。多子为空穴，少子为自由电子，但整体仍呈现电中性。
N型半导体：在硅的晶体中参入少量五价元素杂质（如磷）形成。多子为自由电子，少子为空穴，但整体仍呈现电中性。
漂移运动：由于电场作用而导致载流子的运动
扩散运动：由于浓度差异而导致载流子的运动
PN结的形成
在一个半导体中的左右两个区域分别加入三价元素和五价元素，形成了P型区和N型区， 其中P型区的多子为空穴，N型区的多子为自由电子，空穴和电子都会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，如下图所示（黑点为电子，白点为空穴）：
两者的扩散运动会导致交汇处有一个区域（空间电荷区）没有电子和空穴（被复合了），这个区域就是PN结，也叫做耗尽层。这个区域可以看作一个势垒，会阻碍多子的扩散运动。（不太恰当的例子：P国的士兵空穴和N国的士兵电子打仗，战场交汇处最激烈，会有很多士兵的尸体，士兵的尸体会阻碍两国士兵的运动）
在这个区域，虽然没有载流子，但是不能移动的正负离子（也就是上图中的大圈圈）会产生1一个内电场，方向由N区（带正电）指向P区（带负电），内电场会阻碍载流子的扩散运动。
但是，要考虑到每个区域中，还有少子的存在，少子会在内电场的作用下做漂移运动，N区的少子空穴向P区移动，P区的少子电子向N区移动，少子的移动会导致原本的空间电荷区又出现了电荷，让空间电荷区变薄。
可以看出，多子的扩散运动和少子的漂移运动是相反的，但是又存在联系。
首先是多子的扩散运动会产生内电场并加强内电场（势垒增加），内电场导致少子的漂移运动，少子的漂移运动使得空间电荷区变薄，内电场减小（势垒减小），这又加强了多子的扩散运动，直到达到动态平衡。
PN结的单向导电性
PN结有一个特性——单向导电性，但是这个性质需要在外加电场时才会表现出来。
如果给平衡的PN结外加一个正向电压（P区接电源正端），如下图：
这个外加电场和内电场正好是相反的，外电场会抵消内电场，让势垒减小，然后加强多子扩散运动，使得扩散运动大于漂移运动，此时电子向P区运动就会产生一个扩散电流 If 从P区流向N区。实验表明，只要外加电场稍微变化就能使得电流有显著的提升（呈指数变化）。这就称为PN结导通。
如果给平衡的PN结外加一个反向电压（P区接电源负端），如下图：
此时外电场与内电场方向一致，会进一步阻碍多子的扩散运动（趋近于0），加强少子的漂移运动，这样会产生一个漂移电流 Is，但是这个电流是由少子产生的，非常小，硅管为微安级别，可以认为此时的PN结为一个阻值很大的电阻，不导电。这就是PN结的截止。
总结上述内容，可以得到PN结的伏安特性曲线为：
表达式为：
上式中
| id | 通过PN结的电流 |
| Vd | PN结两端的电压 |
| Is | 反向饱和电流（也就是漂移电流） |
| Vt | 温度当量，为26mV（常温） |
| n | 发射系数，与PN结的尺寸材料等有关 |
PN结的反向击穿
如上图所示，当反向电压达到一定程度时，会产生一个非常大的反向电流，这就是PN结的反向击穿。PN结的击穿分为电击穿和热击穿。
热击穿：
反向电流过大导致PN结中的温度过高，而烧毁。
电击穿：
1、雪崩击穿：由于外电场非常大，会使得少子具有很大的动能，与晶体原子发生碰撞时打破共价键的束缚导致产生很多自由电子-空穴对，这称为碰撞电离。新产生的自由电子-空穴对与原本的载流子一起碰撞导致更多的自由电子-空穴对，这叫做倍增效应。当电压达到某一个值时，会非常快地产生非常多的自由电子-空穴对，导致一个很大的反向电流，然后PN结被击穿。
2、齐纳击穿：当外电场非常大时，空间电荷区会存在一个很强的电场，使得共价键中的自由电子分离，产生的自由电子-空穴对会在电场的作用下移动，形成反向电流，然后PN结被击穿。但是有一个前提：杂质的浓度高。
齐纳击穿的常见应用为稳压二极管。从反向击穿的图中可以看出，当电压达到反向击穿电压VBR后电流会有一个急剧的变化趋势。反过来考虑，当形成齐纳击穿后，电流在一个较大的范围内变化时，电压都会维持在一个稳定的值，这也是稳压二极管的工作原理。
电击穿一般是可逆的，但热击穿不行。
温度对PN结的影响
1、本征激发为热激发，温度越高，产生的载流子越多。
2、Is是因为少子的运动产生的，而少子是由于本征激发产生的，所以温度越高，Is越大。
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