电路图
1,dc仿真设置与结果。
思考:
对于电流源做负载的共源级,其偏置条件是两个管子电流与电压Vds曲线交与中点,若是两个相同管子,则两个栅极偏置必须要相等,但由于是一个nmos,一个pmos,在其他参数完全相同的情况下,两个管子所加栅压和要等与Vdd,即两个偏压负相关,且系数为-1,但由于nmos和pmos在宽长比相同时μnCox也不同,因此两个量并非绝对的-1系数相关,但这个趋势是如此。所以,一个量减小,一个量增加,则一定有一种情况是两个量相同时,偏置也是合适的,同样的,在上篇电路中,下方mos管通过电流越小,即下方mos的偏置越小,增益越大。而在此篇中,不能改变mos管的偏置电压,因为有且仅有一个固定范围是能成功偏置的。
因此得出结论,此电路的增益虽然加入了gm2,但是和上篇电路相比,增益也不一定就会更大。