chapter3:(4)CS_cccs电路复用 仿真笔记

文章探讨了电流源作为负载的共源级电路中,nmos和pmos管子的偏置条件。在相同的宽长比下,由于μnCox的不同,两个管子的栅压呈负相关但并非绝对-1系数。当下方mos管的电流减小,即偏置减小时,增益会增大。然而,由于偏置电压的限制范围,增益并不一定会比其他设计更高。
摘要由CSDN通过智能技术生成

电路图

图1


1,dc仿真设置与结果。

图2
图3

思考:

对于电流源做负载的共源级,其偏置条件是两个管子电流与电压Vds曲线交与中点,若是两个相同管子,则两个栅极偏置必须要相等,但由于是一个nmos,一个pmos,在其他参数完全相同的情况下,两个管子所加栅压和要等与Vdd,即两个偏压负相关,且系数为-1,但由于nmos和pmos在宽长比相同时μnCox也不同,因此两个量并非绝对的-1系数相关,但这个趋势是如此。所以,一个量减小,一个量增加,则一定有一种情况是两个量相同时,偏置也是合适的,同样的,在上篇电路中,下方mos管通过电流越小,即下方mos的偏置越小,增益越大。而在此篇中,不能改变mos管的偏置电压,因为有且仅有一个固定范围是能成功偏置的。

因此得出结论,此电路的增益虽然加入了gm2,但是和上篇电路相比,增益也不一定就会更大。
 

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