chapter3：（3）CS_cccs_load仿真笔记

电路图

图1

1，dc仿真设置与结果。

图2

图3

  静态工作点设置为0.846v，由图像斜率明显可看出cccs负载放大器电路的增益很大，且其输入所允许的范围很小，输入摆幅很小，静态工作点不容易确定，且随负载栅极电压变化而变化，但是需要了解的是，增益与电流的-1/2次方成正比，故电流越小，增益越大。因此在设计时可先选择小的静态工作点，再匹配合适的负载管的栅极电压。

2，ac仿真设置与结果。（静态工作点dc=0.846v）

               

图4

图5

         增益约为19，（减小电流可得更高增益）

3，瞬态分析设置与结果

图6

图7

图8

 
         图7输入摆幅0.02v，输出摆幅约0.37v，增益约18.5，未失真。图8输入摆幅为0.2v，输出摆幅为2.47v，增益为12，发生失真。由于所选静态工作点大概在允许输入摆幅中间，故上下均有少量失真。

        

4，（1）现选择一较小的偏置电压vin=0.6v，对负载pmos的偏置bais（栅极电压）进行参数扫描，来确定一个在vin情况下使得增益最大的bais

图9

图10

         本次扫描范围较大，得到合适的bais在2.475-2.68125之间，缩小范围再次进行扫描得到

图11

图12

 当bais=2.520833v时，增益最大，约为33，

在bais=2.520833情况下，对输入在0.6v附近进行扫描，观察输入允许摆幅

图13

图14

 从图14可以看出，输入在0.6v附近变化0.05v增益就会变化很大，若进行应用就会发生失真，故其仅在输入摆幅很小时才在不失真的情况下具有大的增益。

此处，我有一个想法，既然电流变小（静态工作点小）增益会变大，有得就有失，那么又是什么丢失，可轻松想到摆幅会变小，事实是这样的吗？以下进行验证，在本文标识2中，已经匹配好了一堆静态工作点（0.846v）和bais（2v），在这种情况下对输入在静态工作点附近进行参数扫描

图15

图16

 在仿真设置时，将扫描范围和分度值设置与图14一样，比较图14与图16，可以看出，图16的最大增益附近的线比图14更多，比图14更靠近最大增益线。因而可验证前边想法的正确性，增益变大了，摆幅变小了。（此处仅粗略验证）

回想，电流减小后，由于r0=1/(λ*Id)，故r0增大，负载mos管的沟道长度调制效应更显著。而负载mos管的跨导正比与Id的1/2次方，小的电流变动负载mos管的分压更大，故Vout就会变化更快，更快的进入线性区。因而摆幅减小。

思考：

在不考虑小信号模型的情况下理解输出电阻和增益。

先考虑输出电阻，vout点下方的电阻同篇一篇二，现来分析上方电阻，当改变vout电压时上方管子的三分路只有ro2支路受影响，故而上方电阻等效为ro2，

对增益的分析同篇一篇二，不再赘述。

下面来分析摆幅

如果上下两个管子完全相同，则在偏置不过是把两个管子的过驱动电压调整成一样。输出电压的最大值不过是保持上管子不进入线性区，即 | (Vds2)min | = | vgs2 - Vth2 |  ,     

(vout)max = Vdd - vth2   ，(vout)min = vin - Vth1