【学习笔记/电流比较器】一种简单实用的电流比较器

       电流比较器通常用于校准电路中，比较电流大小，配合逻辑控制电路进行电流源的校准修调，例如电流舵型DAC的电流源。本文介绍一种常用的电流比较器，有着结构简单、比较精度高、速度较快的优点。主要参考Neeraj K. Chasta的文章《High Speed, Low Power Current Comparators with Hysteresis》。

目录

电路原理分析

比较器精度的推导计算

拓扑应用

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电路原理分析

如图，比较器可以分为三个部分：输入级、正反馈锁存结构、输出级。

1. 输入级可以看作是I2V的结构，输入的电流通过diode转换为栅极电压，传递到下一级。
2. 正反馈锁存结构由交叉对管和diode组成，电流的差异转化为栅极电压差，微小的电压差通过正反馈迅速放大锁定，获得比较结果。
3. 输出级对比较结果进行整形后输出，给到后续的数字逻辑电路中。

       正反馈锁存结构是比较器的核心，其中M7和M10尺寸完全一致，M8和M9尺寸完全一致。假设输入的I1>I2，导致C点电压会高于D点。此时M9的栅极电压升高，产生的漏极电流也会增大。为了保证电流平衡（I2不变），M10的漏极电流减小，其栅极电压随之减小，即D点电压减小。M8的栅极与D点相连，故M8的漏极电流减小，为了保证电流平衡（I1不变），M7的漏极电流增大，其栅极电压随之增大，即C点电压增大。由此可见，C点电压的升高会引起D点电压降低，从而继续引起C点电压升高，正反馈使得C点和D点电压的微小差异被迅速放大并锁死。

比较器精度的推导计算

       文章继续分析了正反馈锁存结构的小信号特性和大信号特性，小信号分析如下：

       如上图，忽略沟调效应和衬偏效应的小信号模型，写出公式

       其中，gm7=gm10，gm8=gm9，且gm9>gm7，可得文章中的A点和B点的小信号电压公式如下：

       大信号分析同理，如下图

       根据KCL定律写出节点电流公式

       其中，Kn7=Kn10，Kn8=Kn9，且Kn9>Kn7，可得文章中的A点和B点的大信号电压公式

       根据大信号特性和小信号特性，均可以看出，比较器工作时呈现一种“hysteresis”特性，即迟滞特性。迟滞比较器有很好的抗噪声特性，但是对于稳定的电流信号，这种迟滞特性会严重降低比较器精度。如下图示意，根据VA和VB的大信号特性可知，当I1的值位于I2附近时，比较器结果应该是不正常的（此时两路输出不是一高一低）。

       文章对迟滞区间进行了计算，根据两侧正常的比较结果的边界列方程。

       最大值如下，此时C点低D点高，M8进入线性区

       此时的P为

       最小值如下，此时C点高D点低，M9进入线性区

       此时的P‘为

       可得比较器的迟滞性能如下图

       文章的最后给出了结论，Kn7和Kn9尽可能相等，可以有效减小迟滞区间，增加比较器精度，理论上完美匹配精度可以无限高。但值得注意的是，文中的公式计算均利用了理想mos模型，未考虑二阶效应，因此结论仅供参考，真实性能需要仿真来仔细确认。

拓扑应用

       对于实际的应用，我们可以适当延伸出不同的拓扑结构。例如下图，输入级进行了简化，并且采用了cascode结构。针对n型电流源和p型电流源有对应的结构。（仅示意）

       由于比较完后，正反馈latch就会锁死，所以对连续的比较应用时，需要设置复位电路，如图，可以在latch结构的drain端接一个开关，导通时两路电位可以被被快速拉平。另外一种思路是断开正反馈latch中的diode管，失去正反馈回路，交叉对管的漏极电压可以缓慢恢复，可以在源端增加开关管。两种方案也可以同时使用，如下图示意。Z端接时钟信号，则下降沿触发比较结果。（仅示意）

       输出级需要整形电路，这是因为正反馈latch锁死后，上下的pmos和nmos还需要工作在饱和区，两路电压并不能达到vdd和gnd的电压，至少有一个过驱动电压。整形电路可以通过与或非门电路进行整形。（仅示意）

       以上就是电流比较器的介绍，认识粗浅，欢迎各位同学批评指正。